[发明专利]等离子体显示装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810081991.5 申请日: 2008-03-21
公开(公告)号: CN101271652A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 金基东 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: G09F9/313 分类号: G09F9/313;G09G3/28;H01J17/20;H01J9/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 显示装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明的方面涉及等离子体显示装置及其制造方法。更具体地说,本发明的方面涉及由于减少了放电特性的温度依赖性而提高了响应速度和放电稳定性的等离子体显示装置。

背景技术

等离子体显示面板是一种利用放电室(discharge cell)中的气体放电生成的真空紫外线(vacuum ultraviolet,VUV)射线激发荧光体来形成图像的显示装置。等离子体显示面板利用从通过气体放电生成的等离子体发出的光来显示文本和/或图形。通过将预定电平电压施加到位于等离子体显示面板的放电空间中的两个电极以在两电极间引起等离子体放电,并且,利用由等离子体放电生成的紫外线激发按照预定图案形成的荧光体层,来形成图像。(下文中将位于等离子体显示面板的放电空间中的两个电极称为“显示电极”。)

通常,等离子体显示面板包括覆盖两个显示电极的电介质层以及电介质层上的、用于保护电介质层的保护层。保护层主要由MgO构成,MgO是透明的,因而允许可见光透过,并且,MgO对电介质层表现出卓越的保护性能并且还会产生二次电子发射。但是,近来,已经对替换和修改MgO保护层进行了研究。

MgO保护层具有抗溅射特性(sputtering resistance characteristic),抗溅射特性减小驱动等离子体显示装置时放电气体对显示电极的离子撞击,并且保护电介质层。此外,透明保护薄膜形式的MgO保护层通过发射二次电子减小了放电电压。典型地,MgO保护层涂在电介质层上,厚度为5000到

MgO保护层的成分和膜特性(membrane characteristics)对放电特性影响很大。MgO保护层的膜特性较大地取决于成分以及沉积的涂覆条件。希望研究出最佳成分和涂覆条件,以改善膜特性。

还希望通过提高响应速度来改善高清晰度等离子体显示面板(PDP)的放电稳定性。高清晰度等离子体显示面板应该响应快速扫描速度,以建立进行全寻址的稳定放电。对快速扫描的响应速度由形成延迟时间(formative delaytime)(Tf)和统计延迟时间(Ts)决定。

发明内容

本发明的一个实施例提供一种等离子体显示装置,由于减少了放电特性的温度依赖性,该等离子体显示装置具有提高了的响应速度和放电稳定性。

本发明的另一个实施例提供一种制造等离子体显示装置的方法。

按照本发明的实施例,提供了一种等离子体显示装置,包括:等离子体显示面板,包括布置在第一基板上的寻址电极、布置在第二基板上并与寻址电极交叉的第一和第二显示电极对、在第二基板上覆盖第一和第二显示电极的电介质层、在第二基板上覆盖电介质层的MgO保护层以及填充在第一和第二基板之间的放电气体;驱动器,用于驱动等离子体显示面板;以及控制器,用于对驱动器进行控制,以使得维持期的维持脉冲宽度为1到3.5μs。由以下的公式1表示取决于温度的统计延迟时间。

公式1

y=A×e-kx

式中,k为常数,范围为小于或等于2000,k的单位为绝对温度(K),x为温度的倒数(1/K),y为统计延迟时间(Ts)的倒数(1/ns),并且A为范围在1×10-6到1×106的常数。

按照非限制性例子,k的范围为0到1000。按照另一个非限制性例子,k的范围为0到500。按照非限制性例子,A的范围为1×10-3到1×103

维持脉冲宽度可以是1到3.5μs。按照非限制性例子,维持脉冲宽度的范围为1到3.0μs。

维持期为9到25μs。按照非限制性例子,维持期可以为10到25μs。

维持期的第一维持脉冲宽度为2到7.5μs。按照非限制性例子,维持期的第一维持脉冲宽度的范围为2到7μs。

以100份体积Ne为基准,放电气体包括5到30份体积的Xe。按照非限制性例子,以100份体积Ne为基准,放电气体还包括0到70份体积的、从由He、Ar、Kr、O2、N2以及它们的组合组成的组中选择的至少一种气体。

按照本发明的另一个实施例,提供了一种制造等离子体显示装置的方法,该方法包括通过MgO沉积形成保护层。在沉积期间,提供2×10-7到6×10-7Torr·l/s的范围内的水蒸汽。

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