[发明专利]具有交换弹簧结构的垂直磁记录介质和记录系统

权利要求书

1.一种垂直磁记录介质，包括：

衬底；

位于所述衬底上并且具有离面磁化易轴的第一铁磁层；

具有离面磁化易轴的第二铁磁层，所述第二铁磁层的各向异性场小于所述第一铁磁层的各向异性场的70％；

位于所述第一和第二铁磁层之间并且允许所述第一铁磁层与所述第二铁磁层的铁磁耦合的第一耦合层；

具有离面磁化易轴的第三铁磁层，所述第三铁磁层的各向异性场小于所述第一铁磁层的各向异性场的70％；以及

位于所述第二和第三铁磁层之间并且允许所述第二铁磁层与所述第三铁磁层的铁磁耦合的第二耦合层。

2.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述第三铁磁层的各向异性场大于所述第二铁磁层的各向异性场。

3.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述第三铁磁层的厚度小于所述第二铁磁层的厚度。

4.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述衬底具有基本平坦的表面，并且其中，所述第一、第二和第三铁磁层中的每者是其c轴取向大致垂直于所述衬底表面的六角密堆积材料，且所述第一和第二耦合层中的每者是其c轴取向大致垂直于所述衬底表面的六角密堆积材料。

5.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述第一和第二耦合层中的至少一个由选自下述材料构成集合中的材料形成：a)具有低于65原子百分数的Co的RuCo合金，b)具有低于65原子百分数的Co的RuCoCr合金，以及c)由Co以及Cr和B中的一者或两者构成并且Cr和B的组合含量大于30原子百分数的合金。

6.根据权利要求5所述的垂直磁记录介质，其中，所述至少一个耦合层还包括从Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B构成的集合中选择的一种或多种元素的一种或多种氧化物。

7.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述第一和第二耦合层中的至少一个包括选自由Pt、Pd、基于Pt的合金和基于Pd的合金构成的集合的材料。

8.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，还包括位于所述衬底上的由磁导材料构成的衬层以及位于所述衬层和所述第一铁磁层之间的交换中断层以用于防止所述衬层和所述第一铁磁层之间的磁交换耦合。

9.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述第一、第二和第三铁磁层中的每者为粒状多晶钴合金。

10.根据权利要求9所述的垂直磁记录介质，其中，所述第一、第二和第三铁磁层中的至少一个还包括Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一种或多种元素的氧化物。

11.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述第一、第二和第三铁磁层中的至少一个是选自由Co/Pt、Co/Pd、Fe/Pt和Fe/Pd多层构成的集合中的多层。

12.一种垂直磁记录盘，包括：

具有基本平坦表面的衬底；

位于所述衬底表面上的由磁导材料构成的衬层；

位于所述衬层上的并且具有离面磁化易轴的由粒状多晶钴合金构成的第一铁磁层；

具有离面磁化易轴的由粒状多晶钴合金构成的第二铁磁层，所述第二铁磁层的各向异性场小于所述第一铁磁层的各向异性场的70％；

位于所述第一和第二铁磁层之间并且允许所述第一铁磁层与所述第二铁磁层的铁磁耦合的第一耦合层；

具有离面磁化易轴的由粒状多晶钴合金构成的第三铁磁层，所述第三铁磁层的各向异性场小于所述第一铁磁层的各向异性场的70％；以及

位于所述第二和第三铁磁层之间并且允许所述第二铁磁层与所述第三铁磁层的铁磁耦合的第二耦合层。

13.根据权利要求12所述的垂直磁记录盘，其中，所述第三铁磁层的各向异性场大于所述第二铁磁层的各向异性场。

14.根据权利要求12所述的垂直磁记录盘，其中，所述第三铁磁层的厚度小于所述第二铁磁层的厚度。

15.根据权利要求12所述的垂直磁记录盘，其中，所述第一和第二耦合层中的至少一个由选自下述材料构成集合中的材料形成：a)具有低于65原子百分数的Co的RuCo合金，b)具有低于65原子百分数的Co的RuCoCr合金，以及c)由Co以及Cr和B中的一者或两者构成并且Cr和B的组合含量大于30原子百分数的合金。