[发明专利]磁头及其制造方法

说明书

技术领域

本发明总体上涉及磁头，更具体涉及适合用于在介质表面记录高密度磁信息的垂直磁记录的磁盘驱动器的磁头及制造该磁头的方法。

背景技术

用于信息设备的存储(记录)设备主要使用半导体存储器或磁存储器。鉴于访问时间，半导体存储器被用作内部存储设备，而鉴于大容量和非易失性，磁盘驱动器被用作外部存储设备。存储容量是表示磁盘驱动器的性能的重要指数。随着信息社会的最新发展，市场需要大容量和小型的磁盘驱动器。适合于该需要的记录系统是垂直记录。垂直记录被认为是代替常规纵向记录的主流，因为可以促进高密度。

专利文献1公开了一种通过在磁道宽度方向上在主磁极的两侧布置软磁性膜从而抑制磁道宽度两端的不必要磁场的加宽的垂直记录磁头。专利文献2公开了一种通过以下方式防止杂散磁场集中于磁头元件上的垂直记录磁头。围绕磁头元件的上部和横向侧面设置软磁屏蔽，由此使软磁屏蔽和介质之间的距离小于软磁屏蔽和磁头元件之间的距离。

[专利文献1]

美国专利申请公开号2002/0176214

[专利文献2]

JP-A-2006-164356

发明内容

垂直记录的记录介质的磁化方向垂直于介质的表面；因此，作用在垂直记录的记录介质中的相邻磁畴之间的去磁场的效果小于纵向记录的效果。因此，在该介质中可以记录高密度磁信息，这使之可以构成大容量磁盘。

在垂直记录中，主磁极具有张开点并且磁通量被限制在该张开点，以产生强磁场。来自主磁极的写磁场对磁道宽度方向和连续记录位方向有影响。由于在磁道宽度方向上写入相邻位信息，归因于在写操作过程中极其强的磁场擦除写区域外面的磁信息而存在问题。上述专利文献1和2描述了解决这种问题的磁头结构。

由计算模拟证实，专利文献1中描述的技术可以允许目标记录质量和相邻记录信息的保留。但是，为了满足该目标发现以下问题。设置在主磁极的两侧并靠近主磁极的软磁性膜的反向长度必需以高精度(±10nm)设为极短的长度(50至200nm)。此外，主磁极的张开点必需以高精度(±10nm)设为50至200nm，以便产生强磁场。据发现，这种部件的形成精确度(薄膜厚度和反向长度)需要被极其精确地设置为±10nm的范围，以便实现作为目标的高质量记录操作。因此，如果由商购得到的半导体制造设备来制造垂直记录磁头，那么制造成品率是低的，以致不能成批制造廉价磁头。

根据专利文献2中描述的技术，由于软磁屏蔽的端部被布置在极其远离主磁极的位置(1μm或更多)，因此抑制磁道宽度两端的磁场加宽的效果是不充足的。

本发明的一个目的是提供一种可以抑制来自主磁极的写磁场加宽并具有工艺裕度的磁头。

本发明的另一目的是提供一种磁头制造方法，可以缩短制造过程且在批量生产率方面是优异的。

为了实现上述目的，本发明的典型磁头的特征在于部分主磁极或磁场施加装置延伸到气垫面，在主磁极的两侧分开地布置第一软磁性膜，在从气垫面缩回的位置设置最靠近记录介质的第一软磁性膜图形的端部，以及在主磁极的尾侧设置第二软磁性膜。

第一软磁性膜和主磁极形成在相同层中。

设置在主磁极两侧的第一软磁性膜可以被配置为与主磁极接触，具有从气垫面缩回并具有平行于该气垫面的部分的气垫面侧端，以及在主磁极附近从与其平行的部分进一步缩回的部分。

制造磁头的方法的特征在于，在形成于非磁性膜上的抗蚀剂中，在形成主磁极和第一软磁性膜的区域中形成开口，以及在该开口中沉积软磁性材料。因此，主磁极具有延伸到气垫面以限定磁道宽度的部分和当随着从气垫面缩回其宽度逐渐加宽的部分，以及通过相同工艺形成的分开地布置在主磁极的两侧并具有从该气垫面缩回的气垫面侧端的第一软磁性膜。

根据本发明，允许抑制主磁极的写磁场加宽的软磁性膜的气垫面侧端从气垫面缩回。因此，如果通过晶片加工或机器加工转移主磁极的张开点位置，那么软磁性膜的反向长度不被改变，除非软磁性膜的边缘接触气垫面。因此，可以实现具有大的工艺裕度的磁头，以及可以防止抑制写磁场加宽的效果变化。

具体实施方式