[发明专利]图案化磁介质及其制造方法无效
申请号: | 200810080673.7 | 申请日: | 2008-02-28 |
公开(公告)号: | CN101256781A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 乔丹·A·凯蒂恩;斯科特·A·麦克唐纳;尼尔·L·罗伯逊 | 申请(专利权)人: | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
主分类号: | G11B5/84 | 分类号: | G11B5/84;G11B5/74;G11B5/82 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 介质 及其 制造 方法 | ||
1、一种形成图案化磁介质的方法,包括:
在盘衬底上沉积材料,所述盘衬底用于数据存储装置;
纳米压印该盘衬底上的所述材料;
将所述材料处理成基本固化的材料;以及
在所述基本固化的材料上沉积磁材料。
2、根据权利要求1的方法,其中所述材料包括氢倍半硅氧烷。
3、根据权利要求1的方法,其中所述材料包括聚酰胺。
4、根据权利要求1的方法,其中所述材料包括含硅抗蚀剂。
5、根据权利要求1的方法,其中所述处理包括利用电子束。
6、根据权利要求1的方法,其中所述处理包括利用辐照。
7、根据权利要求1的方法,其中所述处理在所述纳米压印期间开始。
8、根据权利要求7的方法,其中所述处理在所述纳米压印期间进行。
9、根据权利要求7的方法,其中所述处理在所述纳米压印之后结束。
10、一种图案化介质盘,包括:
盘衬底;
沉积在所述盘衬底上的材料,其中所述材料被纳米压印且所述材料被转化成基本固化的材料;以及
沉积在所述基本固化的材料上的磁材料。
11、根据权利要求10的图案化介质盘,其中所述材料包括氢倍半硅氧烷。
12、根据权利要求10的图案化介质盘,其中所述材料包括聚酰胺基聚合物。
13、根据权利要求10的图案化介质盘,其中所述材料包括含硅抗蚀剂。
14、根据权利要求10的图案化介质盘,其中所述基本固化的材料包括二氧化硅。
15、根据权利要求10的图案化介质盘,其中通过选自由电子束、热处理、光学处理、辐照、以及冷却构成的组的工艺,将所述材料转化成所述基本固化的材料。
16、根据权利要求10的图案化介质盘,其中所述材料在被纳米压印时开始被转化。
17、根据权利要求16的图案化介质盘,其中所述转化在所述纳米压印期间进行。
18、根据权利要求16的图案化介质盘,其中所述转化在所述纳米压印之后结束。
19、一种计算机可用介质上的应用程序指令,其中该指令在执行时实现一方法,该方法包括:
在盘衬底上沉积材料,所述盘衬底用于数据存储装置;
纳米压印该盘衬底上的所述材料;
将所述材料转化成基本固化的材料;以及
在所述基本固化的材料上沉积磁材料。
20、根据权利要求19的应用程序指令,其中所述材料包括氢倍半硅氧烷。
21、根据权利要求19的应用程序指令,其中所述材料包括聚酰胺基聚合物。
22、根据权利要求19的应用程序指令,其中所述材料包括含硅抗蚀剂。
23、根据权利要求19的应用程序指令,其中所述转化通过选自由电子束、热处理、光学处理、辐照和冷却构成的组的工艺进行。
24、根据权利要求19的应用程序指令,其中所述转化在所述纳米压印期间开始且在所述纳米压印之后结束。
25、根据权利要求19的应用程序指令,其中所述转化在所述纳米压印期间进行。
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