[发明专利]一种低半波电压的电光开关无效
申请号: | 200810072381.9 | 申请日: | 2008-12-17 |
公开(公告)号: | CN101750759A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 江枫;吴少凡;庄松岩;郑熠 | 申请(专利权)人: | 福建福晶科技股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/03 | 分类号: | G02F1/03;H01S3/115 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350002 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低半波 电压 电光 开关 | ||
1.一种低半波电压的电光开关,包括绝缘壳体(201),电光晶体(202),在晶体一对侧面镀有金属导电层(203),金属导电层外贴有铟箔(204),铟箔外紧贴着内部金属电极(205),内部金属电极外留有外接金属电极孔(206)。
2.如权利1所述的电光开关,其特征在于:所述的电光晶体(202)为Z切横向应用方式并在一对通光面上镀有光学增透膜。
3.如权利1所述的电光开关,其特征在于:所述的电光晶体(202)可为单块晶体或多块晶体串接。
4.如权利1或2或3所述的电光开关,其特征在于:所述的电光晶体(202)为BBO或LiNbO3或LiTaO3或RTA或RTP或KTP或LGS等横向应用的电光晶体。
5.如权利1所述的电光开关,其特征在于:金属导电层(203)的长度比晶体(202)的长度短0.2至1mm。
6.如权利1所述的电光开关,其特征在于:铟箔(204)和内部金属电极(205)大小及长度小于或等于晶体侧面的金属导电层(203)的大小及长度,且均比晶体(202)长度短0.2至1mm。
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