[发明专利]一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种在各种电子设备中的操作中使用的触摸屏制造方 法。

背景技术

ITO(Indium Tin Oxides，铟锡金属氧化物)是一种N型氧化物半导 体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体设在薄膜的一面形成的透明 导电膜。

现有电阻式触摸屏主要采用湿制程蚀刻方法制造，先将需要的部份 用耐酸性油墨保护起来后，再通过酸性化学药水将不需要的ITO薄膜蚀 刻掉，然后再通过碱性化学药水将表面的耐酸性油墨去除掉，最后用水 将表面清洁干净，干燥后进行后序生产流程。在触摸屏的制造过程中， ITO薄膜的清洁度是一重要参数，清洁度不高的ITO薄膜都需要按不合 格品处理。由于该方法在制造用于触摸屏的ITO薄膜的过程中，ITO薄 膜接触到碱性药水及蚀刻设备相关清洁工具，容易造成ITO薄膜刮伤、 刺伤、污垢存在等现象，容易造成触摸蚀刻过度或外观不良等问题，从 而造成生产的成品率较低。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种用于触摸屏的ITO薄膜制造 方法，该方法可以提供较高的洁净度，从而提高ITO薄膜成品率。

为了解决上述问题，本发明提供一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方 法，该方法包括以下步骤：设置蚀刻保护层，在ITO薄膜的正面设置蚀 刻保护层，对该蚀刻保护层进行烘烤热固，将蚀刻保护层分成若干条状 区域，所述蚀刻保护层的厚度为15um～35um，所述热固温度为 130℃～150℃，热固时间为10分钟～20分钟；蚀刻处理，对ITO薄膜正 面进行蚀刻；

清洁处理，对蚀刻后的ITO薄膜进行清洗；

剥离蚀刻保护层，将经过清洁处理的ITO薄膜的蚀刻保护层从ITO 薄膜上剥离；

设置正面保护层，在ITO薄膜的正面可视区域设置正面保护层；

印制银线，在ITO薄膜的正面四周印制银线；

印制银线保护层，该银线保护层经过紫外线强度为700 mj/cm²～800mj/cm²固化处理或采用热固温度为80℃～150℃，热固时间为 20分钟～40分的钟热固处理。

优选地，所述设置蚀刻保护层之前还包括：

设置反面保护层；

预缩处理。

优选地，在设置反面保护层时，反面保护层的厚度为15um～35um， 再对该保护层进行烘烤热固，该热固温度为130℃～150℃，热固时间为 10分钟～20分钟。

优选地，所述预缩处理在温度为130℃～160℃，预缩时间为60分钟 ～120分钟。

优选地，在所述印制银线保护层之后还包括，在ITO薄膜的正面四 周设置粘合剂。

本发明ITO薄膜的制造方法，首先，在ITO薄膜的正面设置蚀刻保 护层，并对ITO薄膜的正面进行蚀刻处理，再对蚀刻处理的ITO薄膜进 行清洁处理，再剥离设在正面的蚀刻保护层，并立刻在ITO薄膜的正面 可视区域设置正面保护层，最后在设有正面保护层的ITO薄膜四周印制 银线。与现有技术相比，经过蚀刻处理后，ITO薄膜上始终有蚀刻保护 层对ITO薄膜进行保护，可以在对ITO薄膜进行清洁处理时，提供较高 的洁净度，同时可以避免ITO薄膜刮伤、氧化，从而可以提高触摸屏成 品率。由于现有技术在清洁处理时需要用碱洗，因此在进行清洁处理时， 会将保护层溶解掉，使得ITO薄膜的洁净度更低。在设置蚀刻保护层之 前还包括设置反面保护层和预缩处理步骤，在ITO薄膜的反面设置反面 保护层，可以对ITO薄膜的反面进行保护；对ITO薄膜进行预缩处理， 可以避免ITO薄膜在之后工序中加热时发生变形，同时可以避免ITO薄 膜的阻值发生改变。

附图说明

图1是本发明用于触摸屏的ITO薄膜制造方法实施例的流程示意 图；

图2是本发明实施例中设置保护层步骤流程示意图；

图3是本发明实施例蚀刻保护层示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进 一步说明。

具体实施方式