[发明专利]有机硅两嵌段共聚物的合成方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种新型有机硅低表面能两嵌段共聚物的合成，尤其是涉及一种以大分子聚二甲基硅氧烷为大分子引发剂，在Cu(I)Br为催化剂、N-(n-丙基)-2-吡啶甲胺为催化剂配体共同催化下经过原子转移自由基聚合反应合成目标聚合物聚二甲基硅氧烷-b-聚甲基丙烯酸乙酯的制备方法。

背景技术

同时含有聚二甲基硅氧烷嵌段和聚丙烯酸酯类嵌段的共聚物很少有见报道，通过阴离子聚合可合成此类聚合物，在聚合过程中必须注意以聚二甲基硅氧烷嵌段引发丙烯酸酯类单体聚合，反之则不能聚合。丙烯酸类树脂具有优良的耐热性、耐候性、  耐腐蚀性、耐玷污性、附着力高和保色保光性好等优点，但在实际应用中，由于自身结构的限制，仍存在一些不足之处，如硬度、抗污染性、耐溶剂性等方面不尽人意。有机硅材料具有优良的耐热、耐候、抗氧化、耐辐射的性能，而且表面能低，具有憎水、抗污性。因此以有机硅和丙烯酸酯共聚可以制得硅丙材料集丙烯酸树脂和有机硅树脂优点于一体，不仅具有超耐候性，还具有优异的耐水性、耐盐雾、耐温变性、耐玷污性及耐洗刷性能，主要应用于对耐候性能有特殊要求的建筑外墙涂料、工程机械涂料以及作业环境更为恶劣的码头设备、海洋设施等的表面防腐及装饰。目前通过阴离子聚合合成该类聚合物的方法主要有以下的不足之处：1.阴离子聚合对反应体系的纯度要求很高，不仅体系不能含有氧和水，甚至其他杂质也对反应有较大影响，因此对纯化要求很高。2.丙烯酸酯类的阴离子聚合副反应较多，对于反应结束后的分离纯化难度大。3.阴离子聚合通常在低温下进行，对反应设备要求较高。

聚二甲基硅氧烷-b-聚甲基丙烯酸乙酯是一种新型的低表面能有机硅嵌段共聚物，其合成至今未见报道。

发明内容

本发明的目的是提供一种具有微相分离、反应条件温和、反应产物结构明确以及操作简便的有机硅两嵌段共聚物的合成方法。

本发明所述的氟硅两嵌段共聚物为聚二甲基硅氧烷-b-聚七氟丁基甲基丙烯酸酯共聚物，其结构式为：

其中x为聚二甲基硅氧烷(PDMS)的聚合度，y为聚甲基丙烯酸乙酯(EMA)的聚合度。

本发明所述的氟硅两嵌段共聚物的反应式如下：

其中x为聚二甲基硅氧烷(PDMS)的聚合度，y为聚甲基丙烯酸乙酯(EMA)的聚合度。

本发明所述的氟硅两嵌段共聚物的合成方法包括以下具体步骤：

1)制备溴原子封端的聚二甲基硅氧烷大分子引发剂：在氮气气氛保护下，以末端含有羟基的聚二甲基硅氧烷与2-溴异丁酰溴为起始原料在惰性有机溶剂进行搅拌反应，反应结束后过滤，将滤液减压蒸馏除去惰性有机溶剂后溶解在二氯甲烷中，用碳酸氢钠溶液洗涤至少1次，分液，有机层用干燥剂干燥，再过滤，最后将滤液减压蒸馏除去二氯甲烷溶剂得到油状黄色的溴原子封端的聚二甲基硅氧烷大分子引发剂，按摩尔比，聚二甲基硅氧烷∶2-溴异丁酰溴∶三乙胺为1∶(1.5～4.20)∶(2.7～6.6)；

2)制备聚二甲基硅氧烷-b-聚甲基丙烯酸乙酯新型硅丙两嵌段材料：原子转移自由基聚合在惰性气氛保护下进行，以溴原子封端的聚二甲基硅氧烷大分子为引发剂，以卤化亚铜为催化剂，以含吡啶环化合物或含吡啶环化合物的衍生物中的一种为催化剂配体，在惰性溶剂甲苯中进行原子转移自由基聚合；按摩尔比，单体(甲基丙烯酸乙酯)∶催化剂∶引发剂∶催化剂配体＝(30～100)∶1∶1∶2，然后经过冷冻-抽真空-解冻循环至少3次后，加热，反应结束后，将所合成的聚合物用四氢呋喃或二氯甲烷等惰性溶剂稀释，再将稀释后的溶液通过氧化铝柱除去催化剂，将滤液用旋转蒸发仪除去溶剂，到黏度明显变稠的时候将其沉淀到沉淀剂中，反复溶解-沉淀至少3次后再将得到的产物真空干燥，得到聚二甲基硅氧烷-b-聚甲基丙烯酸乙酯新型硅丙两嵌段材料，即有机硅两嵌段共聚物。

在步骤1)中，所用的惰性有机溶剂选自四氢呋喃或者二氯甲烷；所用的高纯氮纯度最好为超过99.995％(质量比)；反应温度为0～40℃；搅拌时间为12～30h；所用的碳酸氢钠溶液最好为饱和溶液；所用的蒸馏最好采用旋转蒸发仪；所用的过滤最好采用滤纸过滤；干燥剂最好用无水硫酸镁或者无水硫酸钠。