[发明专利]多层敏感膜光腔结构肖特基势垒红外探测器

权利要求书

1.一种多层敏感膜光腔结构肖特基势垒红外探测器，它包括：金属反射镜(1)、光腔介质(2)、硅化物敏感膜(3)、N型保护环(4)、N+电极、P+电极、P型衬底(5)和抗反射膜(7)，其特征在于：所述的硅化物敏感膜(3)可有多层；两两硅化物敏感膜(3)间及其与光腔介质(2)间都夹有P型无定形硅(6)；各层硅化物敏感膜(3)都与N型保护环(4)连接。

2.根据权利要求1所述的多层敏感膜光腔结构肖特基势垒红外探测器，其特征在于：各层硅化物敏感膜(3)作为整体把其间的P型无定形硅(6)完全包裹并与N型保护环(4)连接；光腔介质(2)将最顶层的P型无定形硅(6)和硅化物敏感膜(3)外表面完全覆盖。

3.根据权利要求1所述的多层敏感膜光腔结构肖特基势垒红外探测器，其特征在于：所述的硅化物敏感膜(3)有三层，则共有三层P型无定形硅(6)，其中两层P型无定形硅(6)夹在三层硅化物敏感膜(3)间，还有一层P型无定形硅(6)覆盖在最顶层的硅化物敏感膜(3)之上。

4.根据权利要求3所述的多层敏感膜光腔结构肖特基势垒红外探测器，其特征在于：所述的三层硅化物敏感膜(3)和三层P型无定形硅(6)的总厚度为5～25nm。

5.根据权利要求4所述的多层敏感膜光腔结构肖特基势垒红外探测器，其特征在于：所述的硅化物敏感膜(3)厚度在2nm以内。

6.根据权利要求1所述的多层敏感膜光腔结构肖特基势垒红外探测器，其特征在于：所述的P型无定形硅(6)，其掺杂浓度为10¹⁴～10¹⁷cm^-3。

7.根据权利要求1所述的多层敏感膜光腔结构肖特基势垒红外探测器，其特征在于：所述的P型无定形硅(6)，其掺杂浓度为10¹⁸～10²¹cm^-3。