[发明专利]一种湿法冶金除多晶硅中硼的方法

权利要求书

1.一种湿法冶金除多晶硅中硼的方法，其特征是以工业硅为原料、粉碎至150目-600目，加入到盐酸和氢氟酸的混合溶液中，常温浸泡24小时以上，除去大部份金属杂质，将酸处理后的硅粉加入到氯化铵和氟化铵混合溶液中，加热至60℃-90℃，并维持温度搅拌2-6小时后，进行固液分离，用纯净水洗硅粉至中性，真空干燥。

2.根据权利要求1所述的一种湿法冶金除多晶硅中硼的方法，其特征是工艺步骤依次为：(1)将硅块经粉碎研磨成300～400目的硅粉；(2)将硅粉加入到盐酸和氢氟酸的混合溶液中，混合液中盐酸体积百分浓度10～15％，氢氟酸体积百分浓度3～5％；(3)将酸处理后的硅粉加入到氯化铵和氟化铵的混合铵盐溶液中，混合液中氯化铵15～30wt％，氟化铵5～10wt％，加热搅拌4～5小时；(4)进行固液分离后，用纯净水洗涤硅粉至中性，用真空干燥箱烘干。

3.根据权利要求1或2所述的一种湿法冶金除多晶硅中硼的方法，其特征是铵盐溶液加热优选温度65～70℃并维持加热搅拌4～5小时。

4.根据权利要求1或2所述的一种湿法冶金除多晶硅中硼的方法，其特征是硅粉与铵盐溶液的固液比为1∶3～4。

5.根据权利要求1或2所述的一种湿法冶金除多晶硅中硼的方法，其特征是氯化铵、氟化铵混合液的pH4～6。

6.根据权利要求1所述的一种湿法冶金除多晶硅中硼的方法，其特征是处理后的硅粉悬浊液用离心机进行固液分离。

7.根据权利要求1或2所述的一种湿法冶金除多晶硅中硼的方法，其特征是获得的是硅中金属杂质总含量＜5ppma，B含量小于3ppma的硅材料。