[发明专利]真空器件的封接装置以及封接方法有效
申请号: | 200810067428.2 | 申请日: | 2008-05-23 |
公开(公告)号: | CN101587808A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 柳鹏;陈丕瑾;杜秉初;郭彩林;刘亮;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01J9/26 | 分类号: | H01J9/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 器件 装置 以及 方法 | ||
1.一种真空器件的封接装置,其包括:
一真空室;
一前容置室与一后容置室,且该前容置室与后容置室分别通过一第一闸门与一第二闸门与该真空室两端相连通;
一抽真空系统分别与该前容置室、后容置室以及真空室相连通;
至少一运输装置,可于前容置室、真空室以及后容置室之间运动;
其特征在于,该真空器件的封接装置进一步包括:
一装有多个密封件的外置容器设置于所述真空室上方,该外置容器通过一输入管道与真空室相连通,所述输入管道上设有控制部件;
一第一加热装置设置于输入管道与第二闸门之间的真空室内壁上。
2.如权利要求1所述的真空器件的封接装置,其特征在于,进一步包括一第二加热装置设置于第一闸门与输入管道之间的真空室内壁上。
3.如权利要求2所述的真空器件的封接装置,其特征在于,所述第一加热装置与第二加热装置于第一闸门到第二闸门之间定义了一第一温度梯度空间、一第二温度梯度空间和一第三温度梯度空间,其中,第二加热装置对应于位于第一闸门与输入管道之间的第一温度梯度空间,第一加热装置对应于位于输入管道与第二闸门之间的第二温度梯度空间,第三温度梯度空间位于第二温度梯度空间与第二闸门之间。
4.如权利要求3所述的真空器件的封接装置,其特征在于,所述第一加热装置与第二加热装置为电热丝、红外照射器或激光照射器。
5.如权利要求4所述的真空器件的封接装置,其特征在于,所述密封件为低熔点玻璃球。
6.如权利要求5所述的真空器件的封接装置,其特征在于,所述控制部件为一第一真空传动杆与一第二真空传动杆。
7.一种采用如权利要求1所述的真空器件的封接装置封接真空器件的方法,其包括以下步骤:
提供至少一预封接器件,所述预封接器件包括一壳体以及一排气孔;
将该至少一预封接器件置于前容置室内的运输装置上,并通过该抽真空系统对前容置室进行抽真空;
使载有预封接器件的运输装置进入真空室,通过输入管道的下方,在每个预封接器件的排气孔上设置一密封件,并加热使该密封件熔化,从而对预封接器件的排气孔进行逐个封接,而后凝固;以及
对后容置室进行抽真空,并使该封接好的真空器件进入后容置室,而后向该后容置室通入气体,且通过后容置室将该封接好的真空器件取出。
8.如权利要求7所述的真空器件的封接方法,其特征在于,所述预封接器件的材料为玻璃或金属。
9.如权利要求7所述的真空器件的封接方法,其特征在于,所述预封接器件的排气孔的孔径为2~10毫米。
10.如权利要求7所述的真空器件的封接方法,其特征在于,所述真空室在工作时,从第一闸门到第二闸门之间分别形成一第一温度梯度空间、一第二温度梯度空间和一第三温度梯度空间,其中第一温度梯度空间为中温区,第二温度梯度空间为高温区,第三温度梯度空间为低温区。
11.如权利要求10所述的真空器件的封接方法,其特征在于,第二温度梯度空间的温度应高于密封件的软化温度。
12.如权利要求11所述的真空器件的封接方法,其特征在于,所述第一温度梯度空间的温度范围为200~300℃,第二温度梯度空间的温度范围为300~350℃,第三温度梯度空间的温度范围为50~200℃。
13.如权利要求12所述的真空器件的封接方法,其特征在于,使该至少一预封接器件进入真空室后,依次通过第一温度梯度空间、第二温度梯度空间和第三温度梯度空间,且将所述密封件设置于该预封接器件的排气孔上的步骤在预封接器件进入第二温度梯度空间前进行。
14.如权利要求13所述的真空器件的封接方法,其特征在于,使该预封接器件通过第一温度梯度空间时,通过第二加热装置对预封接器件进行烘烤排气。
15.如权利要求7所述的真空器件的封接方法,其特征在于,所述的密封件的材料为低熔点玻璃粉,且该低熔点玻璃粉在制备成密封件之前先在真空环境下熔炼30~60分钟。
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