[发明专利]真空器件的封接装置以及封接方法

权利要求书

1.一种真空器件的封接装置，其包括：

一真空室；

一前容置室与一后容置室，且该前容置室与后容置室分别通过一第一闸门与一第二闸门与该真空室两端相连通；

一抽真空系统分别与该前容置室、后容置室以及真空室相连通；

至少一运输装置，可于前容置室、真空室以及后容置室之间运动；

其特征在于，该真空器件的封接装置进一步包括：

一低熔点玻璃粉熔炉设置于所述真空室上方，该低熔点玻璃粉熔炉通过一输入管道与真空室相连通，所述低熔点玻璃粉熔炉上设有一控制部件；

一第一加热装置设置于输入管道与第二闸门之间的真空室内壁上。

2.如权利要求1所述的真空器件的封接装置，其特征在于，进一步包括一第二加热装置于第一闸门与输入管道之间的真空室内壁上。

3.如权利要求2所述的真空器件的封接装置，其特征在于，所述第一加热装置与第二加热装置于第一闸门到第二闸门之间定义了一第一温度梯度空间、一第二温度梯度空间和一第三温度梯度空间，其中，第二加热装置对应于位于第一闸门与输入管道之间的第一温度梯度空间，第一加热装置对应于位于输入管道附近的第二温度梯度空间，第三温度梯度空间位于第二温度梯度空间与第二闸门之间。

4.如权利要求3所述的真空器件的封接装置，其特征在于，所述第一加热装置与第二加热装置分别为电热丝、红外照射器或激光照射器中的一种。

5.如权利要求4所述的真空器件的封接装置，其特征在于，所述低熔点玻璃粉熔炉与该抽真空系统相连通。

6.如权利要求5所述的真空器件的封接装置，其特征在于，所述控制部件包括一进气口与一抽气口，且该进气口与抽气口上分别设置有一第一阀门与一第二阀门。

7.一种采用如权利要求1所述的真空器件的封接装置封接真空器件的方法，其包括以下步骤： 

将一定量的低熔点玻璃粉料置入所述低熔点玻璃粉熔炉内，并对低熔点玻璃粉熔炉进行抽真空密封，然后将该低熔点玻璃粉料加热至熔融态； 

提供至少一预封接器件，所述预封接器件包括一壳体以及一排气孔； 

将该至少一预封接器件置于前容置室内的运输装置上，并通过该抽真空系统对前容置室进行抽真空； 

使载有预封接器件的运输装置进入真空室，通过输入管道的下方，在每个预封接器件的排气孔上设置一定量的熔融态的低熔点玻璃粉料，从而对预封接器件的排气孔进行逐个封接，而后凝固熔融态的低熔点玻璃粉料；以及 

对后容置室进行抽真空，并使该预封接器件进入后容置室，且通过后容置室将该预封接器件取出。 

8.如权利要求7所述的真空器件的封接方法，其特征在于，所述将低熔点玻璃粉料加热至熔融态的同时，对低熔点玻璃粉熔炉进行抽真空。 

9.如权利要求7所述的真空器件的封接方法，其特征在于，所述预封接器件的材料为玻璃或金属。 

10.如权利要求7所述的真空器件的封接方法，其特征在于，所述预封接器件的排气孔的孔径为2～10毫米。 

11.如权利要求7所述的真空器件的封接方法，其特征在于，所述真空室在工作时，从第一闸门到第二闸门之间分别形成一第一温度梯度空间、一第二温度梯度空间和一第三温度梯度空间，其中第一温度梯度空间为中温区，第二温度梯度空间为高温区，第三温度梯度空间为低温区。 

12.如权利要求11所述的真空器件的封接方法，其特征在于，第二温度梯度空间的温度与低熔点玻璃粉料的熔融态温度相同。 

13.如权利要求12所述的真空器件的封接方法，其特征在于，所述第一温度梯度空间的温度范围为200～300℃，第二温度梯度空间的温度范围为300～350℃，第三温度梯度空间的温度范围为50～200℃。 

14.如权利要求13所述的真空器件的封接方法，其特征在于，使该预封接器件进入真空室后，依次通过第一温度梯度空间、第二温度梯度空间和第三温度梯度空间，且将一定量的熔融态的低熔点玻璃粉料设置于该预封接器件的排气孔上的步骤在预封接器件进入第二温度梯度空间后进行。