[发明专利]一种大尺寸高熔点晶体生长用的筒形隔热屏无效

专利信息
申请号: 200810064997.1 申请日: 2008-07-25
公开(公告)号: CN101323985A 公开(公告)日: 2008-12-17
发明(设计)人: 韩杰才;张明福;杜善义;左洪波;孟松鹤;张海亮;许承海 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C30B35/00 分类号: C30B35/00;C30B15/00;C30B17/00;C30B29/20
代理公司: 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 代理人: 刘娅
地址: 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 尺寸 熔点 晶体生长 隔热
【权利要求书】:

1.一种大尺寸高熔点晶体生长用的筒形隔热屏,它包括一组金属薄片,其特征在于金属薄片采用钨钼合金材料,隔热屏与坩埚同轴心,并与坩埚设置有间隔,隔热屏底部没有密封,与坩埚一起放在钨钼合金支架上,每层金属薄片由四片金属薄片组成,每个金属薄片弯曲成四分之一的筒柱,四片金属薄片组成一个筒柱层,共九个筒柱层,在筒柱层之间设置有间隔层,间隔层由折叠层组成,最内两层筒柱层,即第一层和第二层之间没有设置间隔层,两层紧密连接。

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸高熔点晶体生长用的筒形隔热屏,其特征在于所述的折叠层由折叠弯曲的金属薄片组成,折叠弯曲的波纹形状为矩形。

3.根据权利要求1所述的一种大尺寸高熔点晶体生长用的筒形隔热屏,其特征在于所述的九个筒柱层同轴心且最内层至外直径递增布置,第三层至第九层金属薄片层与层之间间隔为1~5mm。

4.根据权利要求1所述的一种大尺寸高熔点晶体生长用的筒形隔热屏,其特征在于所述的金属薄片厚度不一,最靠近坩埚的两层,即第一层和第二层,金属薄片,每层厚度为2mm,其余各层即第三层至第九层,金属薄片厚度为1mm。

5.根据权利要求1所述的一种大尺寸高熔点晶体生长用的筒形隔热屏,其特征在于所述的隔热屏被放置在一个金属套内,金属套采用一种耐热铁基合金,其底部边缘采用耐热铁基合金制成,并与金属套采用焊接形式连接。

6.根据权利要求1所述的一种大尺寸高熔点晶体生长用的筒形隔热屏,其特征在于所述的第一层筒柱层在拼接时四片薄片间留有2~5mm的间隙。

7.根据权利要求1所述的一种大尺寸高熔点晶体生长用的筒形隔热屏,其特征在于所述的每一个筒柱层的金属薄片连接处的两边各设置一个眼,通过铆钉将其连接在一起,垂直方向上铆钉等间距设置。

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