[发明专利]一种制备硫化镉纳米棒阵列的方法无效
| 申请号： | 200810060157.8 | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101239735A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 陈红征;陈飞;杨立功;施敏敏;吴刚;汪茫 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 硫化 纳米 阵列 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备硫化镉纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：
(1)将透明导电基片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，烘干；
(2)将含镉前驱体、含硫前驱体和还原谷胱甘肽溶于水中制得溶液；
(3)将步骤(1)中烘干的透明导电基片置于步骤(2)制备的溶液中并加热，完全反应后用水冲洗基片，制得硫化镉纳米棒阵列。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的导电基片为导电玻璃或导电硅片。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的步骤(1)中超声处理时间为10～15分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的含镉前驱体为硝酸镉、乙酸镉或硫酸镉。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的含硫前驱体为硫脲、硫代乙酰胺或升华硫。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的含镉前驱体、含硫前驱体和还原谷胱甘肽的摩尔比为1∶1∶0.1～1∶10∶1。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的步骤(3)中反应温度为90～250℃，反应时间为1～24h。
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