[发明专利]一种低温固态反应制备纳米钛酸钡基PTCR瓷粉的方法无效
| 申请号: | 200810054467.9 | 申请日: | 2008-01-24 |
| 公开(公告)号: | CN101219893A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
| 发明(设计)人: | 丁士文;程昀;杨辰芳;陆微微;代威 | 申请(专利权)人: | 河北大学 |
| 主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司: | 石家庄汇科专利商标事务所 | 代理人: | 王琪 |
| 地址: | 071002河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 低温 固态 反应 制备 纳米 钛酸钡 ptcr 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种低温固态反应制备纳米钛酸钡基PTCR瓷粉的方法,属于化学合成精制技术领域。
背景技术
BaTiO3是电子陶瓷元器件的基础母体原料,被广泛的应用于制备PTCR热敏电阻材料、高介电陶瓷电容器、动态随机存储器等方面,被誉为“电子陶瓷的支柱”。在BaTiO3陶瓷材料中加入微量的某些施主元素,其室温电阻率会大幅度下降而成为半导体陶瓷,并且当温度上升到它的居里温度Tc=120℃左右时,其电阻率将急剧上升,变化达5~8个数量级,这种现象称为PTC(positive temperature coefficient)效应。半导化的BaTiO3基PTCR陶瓷材料,作为一种重要的基础控制元件,具有温度自控能力,自动恒温,升温速度快,热效率高,无明火,可连续使用,安全可靠等特点,是一种十分理想的安全性能材料,现已发展成为铁电陶瓷材料的三大应用领域之一,仅次于铁电陶瓷电容器和压电陶瓷,已广泛应用于电子通讯、航空航天、汽车工业、家用电器等各个领域。
目前PTCR(正温度系数电阻-positive temperaturecoefficient Resistance)瓷粉的制备在国内外对主晶相BaTiO3主要采用固相法合成工艺,该方法以BaCO3、TiO2为主要原料,通过固相反应合成,再经球磨细碎处理,掺杂元素均以氧化物的形式掺入。该方法工艺简单,原料易得,但用传统固相法反应制得的以钛酸钡为基质的微米级PTCR粉末,由于工序多,特别是要长时间球磨,长时间高温煅烧,不仅能耗高,而且使得粉体易受污染,粉体各成分配比不易达到设计所需求的精确度,粉体晶粒不易细化。所以影响制备高性能PTCR钛酸钡陶瓷材料。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术缺陷提供一种以TiCl4为原料,通过对TiCl4水解得到活性较高的偏钛酸H2TiO3滤饼,再与新鲜的固体Ba(OH)2·8H2O相互混合研磨来制备纳米钛酸钡基PTCR瓷粉的方法。
本发明的目的是这样实现的:这种低温固态反应制备纳米钛酸钡基PTCR瓷粉的方法,其特征包括:
A、将11mlTiCl4为滴入100ml水中,在pH值为5-10的条件下水解,减压抽滤洗净氯离子得到偏钛酸H2TiO3滤饼;
B、将步骤A滤饼与29.34克固体Ba(OH)2·8H2O及掺杂金属离子M:Sr、Y、Mn、La、Nd等其中一种或几种按照Ti∶(Ba+M)=1∶1的摩尔比例混合,其中Ba与掺杂金属离子M的摩尔比例为1∶0.001-0.3,在室温下充分研磨10~120min,得到糊状物;
C、于80-120℃将糊状物直接烘干,得到掺杂的纳米钛酸钡基PTCR瓷粉。
根据上述的低温固态反应制备纳米钛酸钡基PTCR瓷粉的方法,本发明给出另外一种技术方案包括:
按照上述方法步骤A、B给出的原料比例先将掺杂金属离子M:Y、Mn、La、Nd其中一种或几种可溶性盐溶于100ml水中,再向其中滴加11ml的TiCl4,在pH值为5-10的条件下共同水解,减压抽滤洗净氯离子得到掺杂金属离子的偏钛酸H2TiO3滤饼;
将上述滤饼与固体Ba(OH)2·8H2O和Sr(OH)2·8H2O混合,在室温下充分研磨10~120min,得到糊状物;
于80-120℃将糊状物直接烘干,得到掺杂的纳米钛酸钡基PTCR瓷粉。
所述的低温固态反应制备纳米钛酸钡基PTCR瓷粉的方法,给出的具体技术方案是:
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