[发明专利]氧化硅包覆纳米碳复合材料和制备方法

权利要求书

1.一种氧化硅包覆纳米碳复合材料，其特征在于它是以碳基体和有机硅氧烷为原料，热解有机硅氧烷在纳米碳基体上沉积包覆氧化硅，包覆氧化硅层厚5-300nm；所述的碳基体为纳米碳，包括纳米碳纤维，纳米碳管，直径1～500nm；具体制备方法是在气流中产生纳米碳，在含有纳米碳的气流里热解有机硅氧烷。

2.按权利要求1所述的氧化硅包覆纳米碳复合材料，其特征在于所述的纳米碳为单壁，双壁或多壁纳米碳管。

3.按权利要求1所述的氧化硅包覆纳米碳复合材料，其特征在于所述的氧化硅包覆碳纳米复合材料为氧化硅包覆纳米碳管同轴纤维。

4.按权利要求1所述的氧化硅包覆纳米碳复合材料，其特征在于所述的有机硅氧烷是含Si-O主链或骨架结构的有机单体或聚合物，其在600～1500℃热分解率质量分数至少30％，较佳50％以上。

5.一种权利要求1氧化硅包覆纳米碳复合材料的制备方法，其特征在于是在含有纳米碳的气流里热解有机硅氧烷，产生氧化硅包覆纳米碳材料，热解温度600～1500℃。

6.按权利要求5所述的制备方法，其特征在于以液相注入和固相输送方法将有机硅氧烷送入含有纳米碳的气流中热解。

7.按权利要求5所述的制备方法，其特征在于所述的纳米碳包括在气流中原位生长或直接引入。

8.按权利要求7所述的原位生长纳米碳的制备方法，其特征在于是通过高温化学气相流法，包括固定催化，激光法，等离子体法；直接引入是气相混合，气液混合或气固混合引入。

9.按权利要求7所述的原位生长纳米碳的制备方法，其特征在于在气相流中原位生长纳米碳的碳源物质是C_xH_yO_z，x＝1～8，y＝4～14，z＝0～2。

10.按权利要求9所述的制备方法，其特征在于所述的碳源物质为乙醇、乙烯或二甲苯；并加入催化剂为：铁、钴、镍过渡金属的金属盐。