[发明专利]树枝状钛硅分子筛膜及制备方法无效
申请号: | 200810052016.1 | 申请日: | 2008-01-07 |
公开(公告)号: | CN101214972A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 刘莹;宗丽;张莹莹;辛峰;蔡旺峰 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C01B39/08 | 分类号: | C01B39/08 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 300072天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 树枝 状钛硅 分子筛 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于无机膜材料领域,特别涉及一种树枝状钛硅分子筛膜及制备方法。
背景技术
钛硅分子筛(TS-1)催化环己酮氨肟化反应是一个典型的绿色化工过程。它是由意大利的Enichem公司最早开发的环己酮肟化工艺,它以环己酮、氨和过氧化氢为原料,在钛硅分子筛TS-1催化用下常压合成环己酮肟。该工艺副产物少,基本可以克服传统工艺的缺点,有望实现零排放,达到清洁生产的目的。但是TS-1分子筛颗粒的粒径很小,约为0.2~0.5μm,与液体反应物的分离困难。
专利CN1432560A描述了采用粉末状钛硅分子筛(TS-1)催化环己酮氨肟化的方法,将反应产物和钛硅分子筛在沉降器中进行分离。而采用密集型分子筛膜进行反应时,陈晓辉等得到的结论是膜厚和催化性能不成正比例关系,当膜厚达25μm时双氧水的转化率为9.2%,这说明密集形态的膜会影响反应物的扩散,导致副反应发生。
发明内容
为解决现有技术的不足,本发明提出一种树枝状钛硅分子筛膜及制备方法,采用负载的方法将钛硅分子筛负载在堇青石上,制成树枝状分子筛膜的形式,有利于反应物在分子筛膜上的扩散,提高分子筛膜的利用率,减少副反应的发生。
本发明树枝状钛硅分子筛膜,分子筛具有红外光谱特征峰是960cm-1;X射线衍射图2θ=7.8°8.8°23.1°23.8°24.4°。如图4和图5所示。
本发明的树枝状钛硅分子筛膜的制备方法是:以钛酸四丁酯为钛源,硅酸四乙酯为硅源,四丙基氢氧化铵为模板剂RN,其特征包括以下过程:
1)载体预处理:将圆柱状多孔堇青石载体放入20%~37%的盐酸中室温浸泡3~6小时,室温干燥后放入马弗炉中200~400℃焙烧后自然冷却至室温备用,处理后的堇青石表面如图1所示;
2)合成液配置:其中分子筛膜合成液中各物料的摩尔比为TiO2∶RN∶H2O∶SiO2=0.015~0.05∶0.15~0.35∶30~150∶1;将硅酸四乙酯和钛酸四丁酯在0~20℃条件下混合搅拌10~30分钟,滴加质量比为10~20%的四丙基氢氧化铵水溶液,滴加过程避免白色沉淀产生,模板剂滴加完毕后,持续低温和搅拌情况10~30分钟后,以2~5℃/min的速度加热并升温至80~100℃除醇2~5小时,加热过程中要补充蒸馏水,使合成液保持初始的体积。
3)水热晶化和老化过程:将步骤2)的合成液加入带有聚四氟内衬的不锈钢晶化釜中,再将步骤1)中预处理的圆柱状载体浸没于合成液中,密封好晶化釜后放入烘箱进行晶化,在自生压力下晶化1~3天,晶化温度为150~170℃。然后进行老化过程,将晶化釜在30~100℃条件下老化1~3天,,再将晶化釜放入烘箱中晶化3~5天,晶化温度为160~180℃;
4)后处理:将晶化釜从烘箱中取出后冷水浴迅速降温至室温,将钛硅分子筛膜/载体取出后,用蒸馏水洗涤至洗液呈中性,20~80℃干燥1~3天,再于马弗炉中400~600℃下焙烧6~12小时后的得到树枝状钛硅分子筛膜,得到的分子筛膜如图2和3所示,经过红外光谱和X射线粉末衍射结果得知合成的分子筛膜为钛硅分子筛膜(TS-1),如图4和5所示。
本发明的优点在于钛硅分子筛晶体为树枝状分子筛膜,并负载于堇青石载体上,可以应用于整体式反应器中进行环己酮氨肟化反应,避免因密集形态的分子筛膜导致的分子筛催化剂利用率降低,反应物不易扩散进入分子筛膜的问题,并且省去了反应液和催化剂的分离,减少催化剂的损失。
附图说明
图1:空白堇青石的表面;
图2:生长分子筛膜后的堇青石表面;
图3:分子筛膜的侧视图;
图4:钛硅分子筛膜的红外光谱;
图5:钛硅分子筛膜的粉末X射线衍射图;a堇青石的特征衍射峰b堇青石上钛硅分子筛膜的特征衍射峰。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810052016.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。