[发明专利]一种有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法

说明书

技术领域

本发明属于一种有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法。

背景技术

有机发光显示由于其高亮度、宽视角及柔性轻型等特点而被广泛关注和深入研究。无源矩阵显示是实现有机发光显示的一种简单方法。在有机发光无源矩阵显示器件中需要实现阴极的图案化，一般采用具有倒梯形或者T形截面的条纹结构作为隔离柱实现阴极加工过程中的图案化。

已有技术一般采用光刻方法实现具有以上特征隔离柱的加工，如接触式曝光、多层光刻胶结构、选择特定光刻胶并配合特定加工工艺等方法。公开号为CN 1746772A的中国专利提供了一种采用光刻加化学方法后处理制作T型结构光刻胶图形的方法。采用光刻方法加工上述隔离柱结构的过程需要严格控制加工参数，例如曝光剂量、显影时间等。条件的偏差会对光刻图形的质量产生很大的影响，例如光刻图形和掩模板图形的尺寸存在偏差，图形边缘不整齐等现象。另外光刻上述隔离柱结构需要选用多层的正性光刻胶或者单层负性光刻胶进行加工。多层结构一般加工过程复杂，需要对不同的层分别进行图案化加工，而负性光刻胶虽然加工工艺相对多层结构简单，但是存在着图案化精度低的缺点。

对适用于喷墨打印加工的有机发光显示器件阴极隔离柱，为了实现辅助溶液定位沉积的目标，一般采用对阴极隔离柱进行氟碳气体等离子处理的方法得到具有低表面能的隔离柱。专利号为US 7252570的美国发明专利描述了采用氟碳等离子对隔离柱表面进行处理以降低表面能的方法，且该方法加工的隔离柱用于了辅助喷墨打印溶液的定位沉积。等离子处理的方法需要真空条件和复杂设备，加工过程连续性差，效率较低且成本高。

发明内容

本发明的目的是提供一种有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法，一种采用微转移技术实现图案化的有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法。为了实现以上目的，本发明采用微转移图案化的方法在正性光刻胶薄膜上形成聚合物薄膜图案，然后以该聚合物薄膜选择性吸附催化剂后进行化学镀金属以形成金属薄膜，最后以金属薄膜作为掩模对下层正性光刻胶薄膜进行选择性紫外曝光并溶解除去。紫外光在掩模图形边缘的衍射可以造成非曝光区域边缘的部分曝光，这导致该区域可在光刻胶溶解过程中溶解，使剩余的光刻胶薄膜可以和上层的金属薄膜共同组成具有T型截面的结构，该结构可以作为有机发光显示中阴极的隔离柱。

本发明的又一目的是提供一种适用于喷墨打印加工有机发光显示器件中辅助溶液定位沉积的有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法。为实现以上目的，本发明中的化学镀金属薄膜的表面可以为金。该金表面经氟代硫醇化学组装后表面能降低，适用于喷墨打印加工有机发光显示器件中辅助溶液定位沉积。

本发明的具体制备过程如下：如图1所示，

(1)在具有图形的聚二甲基硅氧烷软印章4表面旋涂一层聚合物薄膜1，聚合物薄膜1的聚合物是聚苯乙烯或者聚甲基丙烯酸甲酯，在平面基底5上涂敷正性光刻胶薄膜2，将正性光刻胶薄膜2干燥后，在正性光刻胶薄膜2表面涂敷聚合物薄膜3并干燥，聚合物薄膜3的聚合物是聚乙烯基吡啶，平面基底5是硅片、玻璃或铟锡氧化物镀膜玻璃(以下简称“ITO玻璃”)；

(2)将表面具有聚合物薄膜1的聚二甲基硅氧烷软印章4和平面基底5上的聚合物薄膜3表面吻合，将整个体系加热到聚合物薄膜1的玻璃化温度后再升温5-15℃，并保持0.5-10分钟，然后将整个体系降低温度到聚合物薄膜1的玻璃化温度后再降低5-50℃，将聚二甲基硅氧烷软印章4剥离，得到表面具有图案化的聚合物薄膜1的聚合物薄膜3；

(3)将步骤(2)中加工的后的平面基底5首先浸渍于含有钯离子的溶液中20-90秒，使聚合物薄膜3吸附钯离子，然后浸渍于可还原钯离子的溶液中将钯离子还原为单质钯，然后浸渍于镍的化学镀溶液中，利用钯催化沉积镍形成100-500纳米厚的金属镍薄膜6；

或者，对用于喷墨打印加工有机发光显示器件中辅助溶液定位沉积的情况，将经过以上处理已经沉积有100-500纳米厚的金属镍薄膜的基底5再浸渍于化学镀金溶液中进行化学镀金，形成金属金/镍薄膜6；

(4)将步骤(3)处理后的平面基底5进行氧等离子体刻蚀，除去无金属镍薄膜6覆盖区域的聚合物薄膜1和聚合物薄膜3，然后对平面基底5上的光刻胶薄膜2进行紫外曝光和显影后，得到表面覆盖金属镍薄膜6的光刻胶结构，该结构可以作为有机发光显示器件的阴极隔离柱；