[发明专利]无机-有机杂化二阶非线性光学膜的电场诱导制备方法无效
申请号: | 200810050756.1 | 申请日: | 2008-05-30 |
公开(公告)号: | CN101289759A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 崔占臣;王世伟;赵莉莎;王耀 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | C25D13/04 | 分类号: | C25D13/04;C08J3/24;C08J3/28;C08L83/08;C08K5/315;C08K5/45;G02F1/361 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 张景林;刘喜生 |
地址: | 130023吉林省*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无机 有机 杂化二阶 非线性 光学 电场 诱导 制备 方法 | ||
1.无机-有机杂化二阶非线性光学膜的电场诱导制备方法,其包括如下步骤:
a)将基底进行处理,使其表面富含正电离子基团;
b)在避光条件下,将偶极发色团分子与是其两倍摩尔当量的氢氧化钠配成0.5~2.0mg/ml的水溶液,将上述富含正电离子基团的电极基底放入组装池中作阳极,将另一电极相对其平行放置作阴极,进行电场诱导下沉积,两电极间距2~5mm,组装直流电压0.5~3.0V,15~30分钟后取出,用高纯水冲洗,吹干;
c)在避光条件下,将步骤b)处理后的基底在端基键联有芳香重氮阳离子的硅氧烷低聚物中浸泡10~30min,取出后冲洗,吹干;重复电场下沉积步骤b)、c),则在基底上组装得到非线性多层膜;
d)将非线性多层膜在15~30W、365nm波长紫外灯下曝光,则得到共价交联稳定的无机-有机杂化二阶非线性光学组装膜。
2.如权利要求1所述的无机-有机杂化二阶非线性光学膜的电场诱导制备方法,其特征在于:基底是ITO玻璃、单面镀金属的石英晶体或单面镀金属的硅片。
3.如权利要求1所述的无机-有机杂化二阶非线性光学膜的电场诱导制备方法,其特征在于:端基键联有芳香重氮阳离子的硅氧烷低聚物的结构式如下,
4.如权利要求1所述的无机-有机杂化二阶非线性光学膜的电场诱导制备方法,其特征在于:偶极发色团分子的结构式如下,
其中,R1是1~5个碳原子的烷基;R2是1~4个碳原子的烷基;R3是苯基、噻吩基或偶氮苯基。
5.如权利要求4所述的无机-有机杂化二阶非线性光学膜的电场诱导制备方法,其特征在于:偶极发色团分子为2-({4-[4-(2-羧基-2-氰基-乙烯基)-偶氮苯基]-苯基}-甲基-氨基)-乙酸。
6.如权利要求4所述的无机-有机杂化二阶非线性光学膜的电场诱导制备方法,其特征在于:偶极发色团分子为2-({4-[4-(2-羧基-2-氰基-乙烯基)-偶氮噻吩基]-苯基}-甲基-氨基)-乙酸。
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