[发明专利]一种p型铕镉锑基热电材料及其制备方法

权利要求书

1.一种p型铕镉锑基热电材料，其特征在于组成式为A_xB_yC_z，

其中A为Eu与Mg、Ca、Sr、Yb的组合；

B为Cd；

C为Sb；

其中x＝0.9-1.1；y＝1.8-2.2；z＝1.8-2.2。

2.一种p型铕镉锑基热电材料，其特征在于组成式为A_xB_yC_z，

其中A为Eu；

B为Cd与Mg、Mn、Zn的组合；

C为Sb；

其中x＝0.9-1.1；y＝1.8-2.2；z＝1.8-2.2。

3.一种p型铕镉锑基热电材料，其特征在于组成式为A_xB_yC_z，

其中A为Eu；

B为Cd；

C为Sb与P、As、Bi的组合；

其中x＝0.9-1.1；y＝1.8-2.2；z＝1.8-2.2。

4.按权利要求1或2或3所述的一种p型铕镉锑基热电材料，其特征在于 组成式为(Eu_0.5Yb_0.5)Cd₂Sb₂或(Eu_0.5Yb_0.2Ca_0.2Sr_0.1)Cd₂Sb₂或Eu(CdZn)Sb₂或 Eu(CdZn_0.5Mg_0.3Mn_0.2)Sb₂或EuCd₂(SbBi)或EuCd₂(SbBi_0.5P_0.3As_0.2)。

5.一种按权利要求1或2或3或4所述的p型铕镉锑基热电材料的制备方 法，其特征在于包括下述步骤：

(1)以金属单质为原料，按组成式配比原料；

(2)将步骤(1)配制的混合料在真空或惰性气氛下，于700～900℃保温 后研磨获得粉末；

(3)采用放电等离子烧结步骤(2)获得粉末烧结成致密的块体。

6.一种按权利要求5所述的p型铕镉锑基热电材料的制备方法，其特征在 于所述保温时间为7～14天。

7.一种按权利要求5所述的p型铕镉锑基热电材料的制备方法，其特征在 于所述烧结条件为压力30～100MPa，温度300～500℃。

8.一种按权利要求5所述的p型铕镉锑基热电材料的制备方法，其特征在 于所述烧结过程的气氛为真空。