[发明专利]一种修正掩膜版图形的方法和装置

权利要求书

1.一种基于光学邻近修正的掩膜版图形的修正方法，其中，包括如下步骤：

B.以第一切割步长对所述掩膜版图形第一区域进行分段处理；

ii.以第二切割步长对所述掩膜版图形第二区域进行分段处理，

其中，所述第一切割步长和第二切割步长的长度不同。

2.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，对所述第一区域进行分段处理的所需精度小于对所述第二区域进行分段处理的所需精度，所述第一切割步长的长度大于所述第二切割步长。

3.如权利要求1或2所述的修正方法，其特征在于：所述第一区域包括外围电路区域，所述第二区域包括存储区域。

4.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，在所述步骤B之前还包括：

A.根据工艺条件预估所述第一切割步长的长度。

5.如权利要求4所述的修正方法，其特征在于，所述步骤A还包括如下步骤：

A1.根据所述工艺条件确定所述第一预定阈值和所述第二预定阈值；

A2.根据所述第一预定阈值和所述第二预定阈值确定所述第一切割步长，使所述第一切割步长的长度大于或者等于所述第一预定阈值，小于或者等于所述第二预定阈值。

6.如权利要求1所述的修正方法，其特征在于，在所述步骤ii之前还包括：

i.根据工艺条件预估所述第二切割步长的长度。

7.如权利要求6所述的修正方法，其特征在于，所述步骤i还包括如下步骤：

i1.根据所述工艺条件确定所述第三预定阈值和所述第四预定阈值；

i2.根据所述第三预定阈值和所述第四预定阈值确定所述第二切割步长，使所述第二切割步长的长度大于或者等于所述第三预定阈值，小于或者等于所述第四预定阈值。

8.如权利要求4至7中任一项所述的修正方法，其特征在于，所述工艺条件包括对第一区域进行分段处理的所需精度，对第二区域进行分段处理的所需精度，特征尺寸，预定工序时间，光刻光源波长。

9.如权利要求7所述的修正方法，其特征在于，当采用特征尺寸为130纳米的工艺时，所述第三预定阈值为60纳米，所述第四预定阈值为80纳米。

10.如权利要求7所述的修正方法，其特征在于，当采用特征尺寸为90纳米的工艺时，所述第三预定阈值为50纳米，所述第四预定阈值为70纳米。

11.如权利要求7所述的修正方法，其特征在于，当采用特征尺寸为65纳米的工艺时，所述第三预定阈值为40纳米，所述第四预定阈值为55纳米。

12.一种基于光学邻近修正的掩膜版图形的修正装置，其中，包括：

第一分段装置，用于以第一切割步长对所述掩膜版图形第一区域进行分段处理；

第二分段装置，用于以第二切割步长对所述掩膜版图形第二区域进行分段处理，

其中，所述第一切割步长和所述第二切割步长的长度不同。

13.如权利要求12所述的修正装置，其特征在于，所述第一分段装置对所述第一区域进行分段处理的所需精度小于所述第二分段装置对所述第二区域进行分段处理的所需精度，所述第一切割步长的长度大于第二切割步长。

14.如权利要求12或13所述的修正装置，其特征在于：所述第一区域包括外围电路区域，所述第二区域包括存储区域。

15.如权利要求12所述的修正装置，其特征在于，还包括：

第一预估装置，用于根据工艺条件预估所述第一切割步长的长度。

16.如权利要求15所述的修正装置，其特征在于，所述第一预估装置还包括：

第一确定装置，用于根据所述工艺条件确定所述第一预定阈值和所述第二预定阈值；

第二确定装置，用于根据所述第一预定阈值和所述第二预定阈值确定所述第一切割步长，使所述第一切割步长的长度大于等于所述第一预定阈值，小于等于第二预定阈值。

17.如权利要求12所述的修正装置，其特征在于，还包括：

第二预估装置，用于根据工艺条件预估所述第二切割步长的长度。