[发明专利]一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法无效
| 申请号: | 200810040932.3 | 申请日: | 2008-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN101409104A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
| 发明(设计)人: | 林殷茵;张佶;薛晓勇;吴雨欣;廖启宏;胡倍源;徐乐 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
| 主分类号: | G11C11/00 | 分类号: | G11C11/00 |
| 代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆 飞;盛志范 |
| 地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 新型 挥发 动态 存储器 及其 存储 操作方法 | ||
1.一种不挥发动态存储器,其特征在于包括:
数条字线,
数条位线,以及
数个存储单元,每个存储单元位于两条字线与一条位线的各个交叉区;每个存储单元包括一个相变存储单元和一个动态存储单元,其中相变存储单元由第一选通器件和一个相变存储电阻组成,动态存储单元由第二选通器件和一个存储电容组成,相变存储单元和动态存储单元通过各自的选通器件的控制端与不同的字线相连,相变存储单元和动态存储单元共用同一根位线。
2.根据权利要求1所述的不挥发动态存储器,其特征在于所述的选通器件是双极型晶体管。
3.根据权利要求1所述的不挥发动态存储器,对其操作方法的特征为:正常通电时使用权利要求1所述的不挥发动态存储器中的动态存储单元进行读写操作,其中:
写1:打开存储单元的第二选通器件,关闭存储单元的第一选通器件,在存储单元的位线施加高电平;
写0:打开存储单元的第二选通器件,关闭存储单元的第一选通器件,在存储单元的位线施加低电平;
读:先关闭存储单元的第一选通器件和第二选通器件,位线上施加预充电电压,再打开存储单元的第二选通器件。
4.根据权利要求1所述的不挥发动态存储器,对其操作方法的特征为:断电前先关闭存储单元的第一选通器件和第二选通器件,位线上施加预充电电压,再打开存储单元的第二选通器件,将动态存储单元的数据存入缓存,然后将缓存中的数据存入权利要求1所述的不挥发动态存储器中的相变存储单元,其中:
存0:打开存储单元的第一选通器件,关闭存储单元的第二选通器件,在存储单元的位线施加高电平,复位相变存储单元;
存1:不进行任何操作。
5.根据权利要求1所述的不挥发动态存储器,对其操作方法的特征为:恢复供电后,打开存储单元的第一选通器件,关闭存储单元的第二选通器件,在存储单元的位线施加读电压,读出相变存储单元的数据存入缓存,再打开存储单元的第一选通器件,关闭存储单元的第二选通器件,在存储单元的位线施加中等幅度电压,置位相变存储单元;然后将缓存中的数据写入权利要求1所述的不挥发动态存储器中的动态存储单元,其中:
写1:打开存储单元的第二选通器件,关闭存储单元的第一选通器件,在存储单元的位线施加高电平;
写0:打开存储单元的第二选通器件,关闭存储单元的第一选通器件,在存储单元的位线施加低电平。
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