[发明专利]用于计算机硬盘基片抛光后表面的钝化液组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于计算机硬盘基片抛光后表面的钝化液组合物，特别是一种用于Ni-P镀敷的计算机硬盘基片抛光后表面的钝化液组合物；钝化处理后可提高表面的易清洁性，并降低表面残留物。属于计算机硬盘表面清洗技术领域。

背景技术

近年来，随着存储器硬盘容量及存储密度的快速上升，计算机磁头的飞行高度已降低到10nm左右，预计下一代将降低到7-8nm。随着磁头与磁盘间运行如此的接近，对磁盘表面的平整性及洁净度的要求越来越高。如果硬盘表面粗糙度、波纹度过大，在高速旋转的过程中，磁头就会与磁盘表面发生碰撞，损坏磁头或存储器硬盘表面上的磁介质，从而导致磁盘设备发生故障或读写信息的错误。同时，存储器硬盘表面上残留的微颗粒也会导致磁头碰撞。

目前，普遍采用化学机械抛光(CMP)技术对硬盘基片表面进行抛光，由于抛光后新鲜表面活性高，以及CMP抛光液中大量使用高浓度的纳米磨粒(如纳米二氧化硅、纳米氧化铝粒子)、多种化学品等因素，工件表面极易吸附纳米颗粒等污染物，导致化学机械后清洗极其困难。清洗质量的高低已严重影响到计算机硬盘基片的使用性能。

发明内容

本发明的目的是克服已有硬盘基片化学机械抛光后清清技术的不足，提供了一种适合计算机硬盘基片表面的钝化液，用于硬盘基片抛光后的钝化处理。

本发明一种用于计算机硬盘基片抛光后表面的钝化液组合物，其特征在于具有以下的组成及重量百分含量：

氧化剂：0.05～5.0％；所述的氧化剂为双氧水；

缓蚀剂：0.05～3.0％；所述的缓蚀剂为甘氨酸、硫脲、氨基磺酸、十二烷基聚氧乙烯醚磷酸酯或羟基苯并三氮唑；

表面活性剂：0.01～1.0％；所述的表面活性剂为烷基硫酸钠、烷基聚氧乙烯醚羧酸钾、或烷基聚氧乙烯醚中的任一种。

去离子水：余量。

本发明的钝化液组合物特别适用于Ni-P镀敷的计算机硬盘基片化学机械抛光后表面的钝化处理。

通过钝化液组合物中各成分对抛光后硬盘基片表面的作用，即对硬盘基片表面的氧化、吸附等作用，使新抛光后的表面及时降低活性，从而减少颗粒等抛光液污染物在硬盘表面的吸附与残留，提高表面的易清洗性及提高清洗质量。

具体实施方式

现将本发明的具体实施例叙述于后。

实施例一：本实施例中，计算机硬盘基片抛光后表面的钝化液的组成成分及重量百分含量如下：

表面活性剂十二烷基硫酸钠          0.3％；

缓蚀剂甘氨酸                      1％；

氧化剂双氧水                      1％；

去离子水                          97.7％。

钝化液的制备：在机械搅拌下，依次将表面活性剂、缓蚀剂加入到去离子水中，搅拌溶解后，在搅拌下再加入氧化剂，搅拌充分均匀后，即得到透明的钝化液。

对抛光后的Ni-P镀敷的计算机硬盘基片进行浸泡钝化处理，钝化浸泡时间为30秒；然后按常规正常清洗工艺进行清洗；最后采用产品质量测试系统对所述硬盘基片进行表面检测；测试硬盘基片表面的合格率及表面存在的微缺陷率。检测结果见表1。

实施例二：本实施例中，计算机硬盘基片抛光后表面的钝化液的组成成分及重量百分含量如下：

表面活性剂十二烷基聚氧乙烯醚羧酸钾            0.3％；

缓蚀剂硫脲                                    1％；

氧化剂双氧水                                  1％；

去离子水                                      97.7％。

本实施例中的钝化液的制备、浸泡钝化处理、及表面检测过程完全与上述实施例1相同。检测结果见表1。

实施例三：本实施例中，计算机硬盘基片抛光后表面的钝化液的组成成分及重量百分含量如下：

表面活性剂十二烷基聚氧乙烯醚                 0.3％；

缓蚀剂羟基苯并三氮唑                         1％；

氧化剂双氧水                                 1％；

去离子水                 97.7％。

本实施例中的钝化液的制备、浸泡钝化处理、及表面检测过程完全与上述实施例1相同。检测结果见表1。