[发明专利]一种耐污阴离子电池隔膜的制备方法无效
申请号: | 200810036265.1 | 申请日: | 2008-04-18 |
公开(公告)号: | CN101270201A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 聂君兰 | 申请(专利权)人: | 深圳市富易达电子科技有限公司 |
主分类号: | C08J5/22 | 分类号: | C08J5/22;C08L51/08;H01M2/16;C08L27/18 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 | 代理人: | 解文霞 |
地址: | 518078广东省深圳市高*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阴离子 电池 隔膜 制备 方法 | ||
1、一种耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其步骤包括
a、将含有甲氧基的苯环与乙烯或丙烯接枝共聚,然后与聚四氟乙烯一起混溶;
b、将上述混合聚合物与路易斯酸、卤代酞基化合物按总量比2∶0.5~1∶0.5~1混合,溶于溶剂中搅拌;
c、将步骤b的反应产物先溶解再沉淀;
d、将上述产物干燥,然后在溶剂中充分溶解再静置脱泡,将所得铸膜液在基体上刮膜并在室温下自然成膜;
e、将上述制得的膜于在胺水溶液中胺化,取出干燥。
2、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤a中聚四氟乙烯与乙烯或丙烯接枝共聚物的摩尔比为0.05~0.1∶1。
3、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤b反应温度为20-60℃。
4、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤b反应时间1-8小时。
5、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤b所说的路易斯酸包括无水三氯化铝、五氯化锑、三氯化锡或三氯化铁。
6、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤c中,沉淀物是经醇类先溶解再沉淀。
7、如权利要求6所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:醇类包括甲醇或乙醇。
8、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤d,产物与溶剂的重量比为1∶4~6。
9、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤d所说的基体包括玻璃板、无纺布或织物。
10、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤e,胺化温度为40-85℃。
11、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤e,胺水中胺与水体积比为1∶1~10。
12、如权利要求10所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:所说的胺包括三甲胺、二甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺或二乙胺。
13、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述各步骤所用的溶剂包括氯仿、1,1-二氛乙烷、1,2-二氯乙烷、氯苯或二氧甲烷。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市富易达电子科技有限公司,未经深圳市富易达电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810036265.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于侦听GTP-C消息的方法
- 下一篇:可显示启动信号的压力激发式起爆装置