[发明专利]一种耐污阴离子电池隔膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810036265.1 申请日: 2008-04-18
公开(公告)号: CN101270201A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 聂君兰 申请(专利权)人: 深圳市富易达电子科技有限公司
主分类号: C08J5/22 分类号: C08J5/22;C08L51/08;H01M2/16;C08L27/18
代理公司: 上海金盛协力知识产权代理有限公司 代理人: 解文霞
地址: 518078广东省深圳市高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 阴离子 电池 隔膜 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其步骤包括

a、将含有甲氧基的苯环与乙烯或丙烯接枝共聚,然后与聚四氟乙烯一起混溶;

b、将上述混合聚合物与路易斯酸、卤代酞基化合物按总量比2∶0.5~1∶0.5~1混合,溶于溶剂中搅拌;

c、将步骤b的反应产物先溶解再沉淀;

d、将上述产物干燥,然后在溶剂中充分溶解再静置脱泡,将所得铸膜液在基体上刮膜并在室温下自然成膜;

e、将上述制得的膜于在胺水溶液中胺化,取出干燥。

2、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤a中聚四氟乙烯与乙烯或丙烯接枝共聚物的摩尔比为0.05~0.1∶1。

3、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤b反应温度为20-60℃。

4、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤b反应时间1-8小时。

5、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤b所说的路易斯酸包括无水三氯化铝、五氯化锑、三氯化锡或三氯化铁。

6、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤c中,沉淀物是经醇类先溶解再沉淀。

7、如权利要求6所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:醇类包括甲醇或乙醇。

8、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤d,产物与溶剂的重量比为1∶4~6。

9、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤d所说的基体包括玻璃板、无纺布或织物。

10、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤e,胺化温度为40-85℃。

11、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述的步骤e,胺水中胺与水体积比为1∶1~10。

12、如权利要求10所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:所说的胺包括三甲胺、二甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺或二乙胺。

13、如权利要求1所述的耐污阴离子电池隔膜的制备方法,其特征在于:上述各步骤所用的溶剂包括氯仿、1,1-二氛乙烷、1,2-二氯乙烷、氯苯或二氧甲烷。

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