[发明专利]基于微间隙阵列电极的酶催化电导免疫传感器及其免疫检测方法无效
申请号: | 200810031321.2 | 申请日: | 2008-05-16 |
公开(公告)号: | CN101271114A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 蒋健晖;黄勇;俞汝勤;沈国励;楚霞 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
主分类号: | G01N33/577 | 分类号: | G01N33/577;G01N33/535;G01N33/53;G01N27/327 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 马强 |
地址: | 4100*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 间隙 阵列 电极 催化 电导 免疫 传感器 及其 检测 方法 | ||
1.一种基于微间隙阵列电极的酶催化电导免疫传感器,其特征是,采用微间隙阵列金电极做基片,并采用以下步骤制得:
(1)取常规光刻印刷法制作的微间隙阵列金电极做基片,它为叉指式双电极,正负电极均为两个梳形金电极,彼此交叉组成微间隙阵列金电极,梳形齿宽为1μm-100μm,间隙为1μm-100μm;
(2)微间隙阵列金电极的硅烷化处理,其步骤是:
a.将所述微间隙阵列金电极用无水乙醇清洗三次,每次1min;
b.将该电极浸入1M的NaOH溶液中,静置28min-32min;
c.用超纯水清洗该电极三次,每次1min;吹干;
d.将该电极浸入含氨丙基三甲氧基硅烷5%(体积百分数)的乙醇溶液中,室温下静置23小时-25小时;
这样可在微间隙阵列金电极间的基片上形成一氨基硅烷自组装单层;
e.用超纯水清洗三次,吹干,获得硅烷化的微间隙阵列金电极;
(3)免疫传感器的制备步骤:
a.将所述硅烷化的微间隙阵列金电极浸入质量分数为5%的戊二醛水溶液,室温下静置0.8小时-1.2小时,再用超纯水清洗三次;
b.在所述电极上滴加30μL待测物的鼠单克隆或羊多克隆抗体溶液,室温下静置反应0.8小时-1.2小时;这样使得抗体通过戊二醛交联剂固定在微间隙阵列金电极的基片上;所述鼠单克隆或羊多克隆抗体溶液中的抗体浓度为100μg/mL,该抗体溶液是将所述抗体溶于0.01M、pH7.4磷酸缓冲溶液而得;
c.用超纯水清洗所述电极三次,吹干,得到免疫传感器;保存于4℃备用。
2、一种采用权利要求1所述基于微间隙阵列电极的酶催化电导免疫传感器检测有碱性磷酸酶标记的单克隆抗体的分析物方法,其特征是,它采用以下步骤:
(1)将分析物样品或标样溶液、碱性磷酸酶标记鼠单克隆抗体溶液各20μL混合后滴加在免疫传感器上,室温下静置反应0.4小时-0.6小时;所述分析物样品或标样溶液是将该分析物样品或标样溶于0.01M、pH7.4磷酸缓冲溶液而得;所述碱性磷酸酶标记鼠单克隆抗体溶液是将所述抗体溶于0.01M、pH7.4磷酸缓冲溶液而得,抗体浓度为100μg/mL,该单克隆抗体与电极上固定的抗体识别不同抗原决定位点;
(2)将所述传感器置于银沉积溶液中,该银沉积溶液为1mM抗坏血酸磷酸酯,2mM AgNO3的0.1M甘氨酸-NaOH缓冲溶液,pH9.0;室温下静置反应8min-12min;然后从该传感器获取与分析物浓度相关的电导或电阻信号。
3、一种采用权利要求1所述基于微间隙阵列电极的酶催化电导免疫传感器检测无碱性磷酸酶标记的单克隆抗体的分析物方法,其特征是,它采用以下步骤:
(1)将分析物样品或标样溶液、单抗溶液各20μL混合后滴加在固定有待测物多克隆抗体的免疫传感器上,室温下静置反应0.5小时;
(2)在所述传感器表面滴加20μL碱性磷酸酶标记的第二抗体溶液,于室温下静置反应0.4小时-0.6小时;所述第二抗体溶液为碱性磷酸酶标记的羊抗鼠IgG抗体溶液,抗体浓度为10μg/mL,系将所述抗体溶于0.01M、pH 7.4磷酸缓冲溶液而得;
(3)将所述传感器置于银沉积溶液中,该银沉积溶液为1mM抗坏血酸磷酸酯,2mM AgNO3的0.1M甘氨酸-NaOH缓冲溶液,pH9.0,室温下静置反应8min-12min;再从所述传感器获取与分析物浓度相关的电导或电阻信号。
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