[发明专利]一种可发生负离子的釉料及其制备和应用方法有效
申请号: | 200810029763.3 | 申请日: | 2008-07-28 |
公开(公告)号: | CN101323540A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 林仁钧;蔡瑞年 | 申请(专利权)人: | 广东三水大鸿制釉有限公司 |
主分类号: | C04B41/86 | 分类号: | C04B41/86 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人: | 詹仲国 |
地址: | 528143广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发生 负离子 釉料 及其 制备 应用 方法 | ||
1.一种可发生负离子的釉料,由主要配方组分构成,其特征在 于,所述釉料配方中还包含有可产生电气石微晶结构组成的激发材料 和能量传递材料;所述釉料主要配方组成范围重量比为SiO2:40~70%, Al2O3:5~15%,K2O+Na2O:5~10%,CaO:0.1~12%,MgO:0.1~10%,ZnO: 0.1~10%,B2O3:0.1~10%;所述激发材料:0.1~10%;所述能量传递 材料:0.1~10%;
所述釉料组成中的激发材料为稀土矿、稀土元素氧化物、稀土元 素盐中的一种或几种;所述釉料组成中的能量传递材料为二氧化钛、 氧化锆、硅酸锆中的一种或几种。
2.一种权利要求1所述可发生负离子的釉料的制备方法,其特 征在于,它包括如下步骤:首先,制备熔块;按照配比,将釉料配方 组成中引入可产生电气石微晶结构组成的激发材料和能量传递材料, 混合后进行熔制,熔制温度为1200℃~1550℃,熔制时间为1.5~8小 时,然后急速淬冷至常温成为熔块;
其次;熔块完成后接着在800℃~1100℃下进行煅烧,煅烧时间 为4~10小时;
最后,研磨成品;煅烧后之熔块利用球磨机湿法研磨到过325目 以上筛,浆料烘干打粉后即成为成品。
3.一种权利要求1所述可发生负离子的釉料的应用方法,其特 征在于,上述釉料成品应用方法为,添加本釉料2~15%到建筑卫生陶 瓷的釉药中,再经过施釉过程后于800℃~1300℃下烧制成釉面。
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