[发明专利]一种制备电介质陶瓷粉体的喷雾包覆方法及所得的产品

说明书

技术领域

本发明涉及一种制备电子陶瓷粉体的喷雾包覆方法及所得的电子陶瓷粉体，尤其涉及一种电子元器件用的电介质陶瓷粉体的喷雾包覆方法及所得的电介质陶瓷粉体。

背景技术

精细电子陶瓷材料的制备通常是在合成主成份烧块或主晶相的基础上，通过添加一种或多种掺杂改性成份来实现预定的功能。随着3G移动技术的快速兴起和3C技术的不断融合，以手机、GPS、MP3、MP4、闪盘、DC、DV、Bluetooth、小尺寸笔记本电脑为代表的手持电子设备终端的持续高速发展，电子设备持续不断向小型化、超小型化、高可靠性方向发展，从而促进了电子元件不断向短、小、精、薄方向的持续快速的发展，对电子材料的细度、均匀性和分散性及其粉体形貌要求也就越发严苛。如具有典型代表性的片式多层陶瓷电容器(Multilayer Ceramic Capacitors，MLCC)，为了适应电子整机的发展而实现大容量、微型化，目前其介质厚度已经小于1微米，设计层数高达1000层以上，为保证其具有较高的可靠性，往往需要保证每一层至少有5～10个晶粒，这必然要求其介质材料晶粒达到亚微米级甚至纳米级，并且具有超高的均匀性和良好的分散性。

目前化学合成法甚至气相合成法等先进材料合成方法在主成份烧块制备上得到了大量的应用，材料主烧块达到了分子级的均匀水平但是，在随后的成份掺杂改性中，目前国内外工业生产主要还是沿用氧化物或碳酸盐为掺杂出发材料，通过传统固相球磨的方法进行分散掺杂，要求掺杂材料与主烧块具有极为良好的匹配性，这就对掺杂材料的选择产生较大的困难，这对大生产中“货比三家”选择供应商是不利的，特别是随着纳米材料的兴起，要实现多种掺杂材料的匹配倍显困难，即使如此，当掺杂量在1％以内，甚至更小，要实现纳米材料或亚微米材料完全的均匀分散仍是极其困难的。此外，为提高各改性成分在主烧块中均匀的分散，往往要进行较长时间的研磨分散，由于超细主烧块特别是纳米粉体表面活性高，长时间的研磨往往会对粉体表面产生极大的影响，甚至导致烧块晶粒的畸变增加，同时由于长时间的研磨，也易于在研磨过程中引入杂质，从而最终导致材料性能劣化。特别是要制备材料介质膜片厚度10μm以下，如小于3μm的介质层MLCC，其绝缘性能及其可靠性是有疑问的。例如，在公开号为1244514A、1626475A、1402275A、1634798A、1191594C、1564270A、101013618A的中国专利中，制造各种电子陶瓷材料时，均沿用了固相法制备的主晶相和各种氧化物固相球磨混合的传统工艺。再如公开号为1085635C和1623955A、1635592A的中国专利中，虽然分别采用了草酸法和水热法等化学方法生产的主晶相，但是仍采用主晶相材料与掺杂氧化物或碳酸盐的传统混料工艺制备瓷料。