[发明专利]一种用脱硫二水石膏制备高强α型半水石膏的方法无效

专利信息
申请号: 200810022842.1 申请日: 2008-07-24
公开(公告)号: CN101372404A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 秦鸿根;李岗;段珍华;唐修仁 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: C04B11/26 分类号: C04B11/26
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 陆志斌
地址: 21009*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 脱硫 石膏 制备 高强 型半水 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于建筑材料制备技术,具体涉及一种用排烟脱硫石膏制备高强α型半水石膏的方法。

背景技术

脱硫石膏是热电厂烟气脱硫时生产的废弃物,如不加以利用,会形成环境二次污染。脱硫石膏是一种有用的工业资源,目前尚缺乏有效的综合利用。对脱硫石膏充分利用,具有节能、环保等综合效果,石膏的生产能耗是石灰的1/3,是水泥的1/4,且导热糸数较低,具有保温效果和“呼吸功能”,还能防火,是最佳的绿色、节能、环保、健康的墙体材料。

国内脱硫石膏主要生产β型半水石膏(即建筑石膏),干抗压强度在15MPa以下,目前还未发现用脱硫石膏生产高强α型半水高强石膏的报告和专利技术。

发明内容

本发明提供一种用脱硫二水石膏制备α型半水石膏的方法,该方法可以使其制得的α型半水石膏具有高抗压强度的优点。

本发明采用如下技术方案:

一种用脱硫二水石膏制备α型半水石膏的方法:

步骤1:取电厂脱硫二水石膏,并将电厂脱硫二水石膏与水混合形成料浆,该料浆浓度在10%~50%之间,再在料浆中加入晶形改良剂,所述的晶形改良剂采用下列之一的晶形改良剂:

①晶形改良剂为丁二酸、丁二酸钠或丁二酸镁,掺量为脱硫二水石膏质量的0.5‰~8‰;

②晶形改良剂由丁二酸、丁二酸钠及丁二酸镁中的一种与硫酸镁及硫酸铝中的一种复配而成,前后两者的质量比为1∶2~5,所述晶形改良剂的掺量为脱硫二水石膏质量的5‰~10‰;

③晶形改良剂由苹果酸与硫酸镁或苹果酸与硫酸铝复配而成,苹果酸掺量为脱硫二水石膏质量的1‰~6‰,硫酸镁或硫酸铝掺量为脱硫二水石膏质量的3‰~10‰,

步骤2:将加入晶形改良剂后的料浆加热至120℃~160℃并保温1h~4h,得到α型半水石膏料浆;

将温度不低于90℃的α型半水石膏料浆在此温度的条件下进行离心脱水或真空脱水;最后在120℃~150℃的干燥设备中烘干,不经粉磨即得到粉状的高强α型半水石膏。

与现有技术相比,本发明掺入微量的晶形改良剂,使α型半水石膏的结晶形态向着所希望的短柱状方向生长,达到提高半水石膏的抗压强度,使由本发明制得的半水石膏具有抗压强度高的优点。

附图说明

图1是本发明以0.2%的丁二酸为晶形改良剂制备的α型半水石膏、在200倍光学显微镜下的晶体显微图。

图2是本发明以0.2%丁二酸钠为晶形改良剂

图3是本发明以(0.1%丁二酸+0.2%硫酸铝)为晶形改良剂制备的α型半水石膏、在200倍光学显微镜下的晶体显微图。

图4是本发明以(0.1%丁二酸镁+0.5%硫酸铝)为晶形改良剂制备的α型半水石膏、在200倍光学显微镜下的晶体显微图。

图5是本发明以0.25%苹果酸为晶形改良剂制备的α型半水石膏、在200倍光学显微镜下的晶体显微图。

图6是本发明以1.5%硫酸铝为晶形改良剂制备的α型半水石膏、在200倍光学显微镜下的晶体显微图。

图7是本发明以0.2%柠檬酸镁为晶形改良剂制备的α型半水石膏、在200倍光学显微镜下的晶体显微图。

图8是本发明以(0.1%柠檬酸镁+0.5%硫酸镁)为晶形改良剂制备的α型半水石膏、在200倍光学显微镜下的晶体显微图。

图9是本发明以(0.2%柠檬酸钠+0.5%硫酸铝)为晶形改良剂制备的α型半水石膏、在200倍光学显微镜下的晶体显微图。

具体实施方式

实施例1:

一种用脱硫二水石膏制备高强α型半水石膏的方法:

步骤1:取电厂脱硫二水石膏,并将电厂脱硫二水石膏与水混合形成料浆,该料浆浓度在10%~50%之间,在本实施例中,料浆浓度为10%、50%、17%、32%或45%,再在料浆中加入晶形改良剂,所述的晶形改良剂采用下列之一的晶形改良剂:

①晶形改良剂为丁二酸、丁二酸钠或丁二酸镁,掺量为脱硫二水石膏质量的0.5‰~8‰,例如:掺量为脱硫二水石膏质量的0.5‰、8‰、0.9‰、3‰或7‰;

②晶形改良剂由丁二酸、丁二酸钠及丁二酸镁中的一种与硫酸镁及硫酸铝中的一种复配而成,前后两者的质量比为1∶2~5(可选择1∶2、1∶5、1∶3.2或1∶4.5),所述晶形改良剂的掺量为脱硫二水石膏质量的5‰~10‰,在本实施例中,晶形改良剂的掺量为脱硫二水石膏质量的5‰、10‰、6.7‰、8‰或9‰;

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