[发明专利]基板带凹槽的V型聚光太阳能电池组件无效
申请号: | 200810022640.7 | 申请日: | 2008-07-18 |
公开(公告)号: | CN101320761A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 张耀明;金保升;孙利国;刘晓晖;张华;王文斌 | 申请(专利权)人: | 东南大学;南京中材天成新能源有限公司;南京春辉科技实业有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/048 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 叶连生 |
地址: | 21009*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板带 凹槽 聚光 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池组件,特别是一种聚光型太阳能电池组件,属于太阳能利用技术领域。
背景技术
常规能源短缺和环境污染问题促使世界各国都掀起了开发、利用太阳能和可再生能源的热潮,开发和利用太阳能已成为各国可持续发展战略的重要组成部分,太阳能光伏发电作为一种重要的可再生能源,是目前已知发电方式中最清洁、最安全、潜力最大的新兴发电方式,世界各国高度重视。20世纪90年代以来,太阳能利用中的光伏发电正在高速发展,太阳能电池的总产量以每年30%~40%的高速度持续增长,2007年世界光伏发电的新增装机容量为2823MW,2010年世界光伏发电的装机容量将达15GW。根据规划:到2010年,我国光伏发电装机容量达到30万千瓦,2020年达到180万千瓦。
虽然光伏发电技术已经比较成熟,但目前得到大规模应用的主要是固定安装且不聚光的普通太阳能光伏组件,加上太阳能电池的原材料短缺,太阳能电池组件成本较高,光伏发电成本约是煤发电的10倍,所以限制了太阳能光伏发电的发展。因此,提出一种旨在降低成本的聚光太阳能电池组件就显得尤为必要了。
发明内容
技术问题:本发明的目的是提出一种基板带凹槽的V型聚光太阳能电池组件,该组件不仅易于加工成型,而且太阳能电池组件密封效果好,并可通过聚光提高单位面积太阳能电池的输出功率。
技术方案:本发明的基板带凹槽的V型聚光太阳能电池组件包括基板、聚光部件、太阳能电池组件、散热部件以及支撑钢架,所述的基板为带凹槽的基板,太阳能电池组件嵌于带凹槽的基板的凹槽中,所述带凹槽的基板的凹槽底部有凸槽加强筋。所述带凹槽的基板为铝合金,其表面是三氧化二铝。所述太阳能电池组件分为顶端玻璃层、中间太阳能电池片层及其上下两边的封装胶膜和底层绝缘层,所述底层绝缘层将太阳能电池组件与带凹槽的基板的凹槽底面相连接。
所述底层绝缘层为三氧化二铝或玻璃钢等材料。在带凹槽的基板的下方粘接有散热器。所述带凹槽的基板中,带凹槽的基板的两翼与支撑整个聚光太阳能组件的支撑钢架相连,所述带凹槽的基板的两翼同时与翅片散热器相连。所述聚光部件为V型反射聚光结构,安装于带凹槽的基板的上方,相邻2个聚光太阳能电池组件的聚光部件构成等腰三角形结构,所述等腰三角形结构中靠近凹槽的一侧边上安装反光镜。所述散热器为与带凹槽的基板相连的液体冷却散热器,液体冷却散热器带有凸槽形式的孔,孔内通冷却液。
有益效果:本发明以简单合理的结构设计,不仅使该组件易于层压成型,而且提高了组件的密封性能,加之散热部件降低工作温度,均有效延长了组件的使用寿命,又因聚光部件增加了单位面积太阳能电池的输出功率,降低了光伏发电系统的成本,更利于大规模推广及应用。
附图说明
下面结合附图和典型实施例对本发明做进一步说明。
图1是本发明实施例一的结构示意图。
图2是本发明实施例一图1的局部放大图。
图3是本发明实施例一的结构示意图。
图4是本发明实施例二的结构示意图。
图5是本发明实施例二的结构示意图。
以上的图中有:带凹槽的基板1、聚光部件2、太阳能电池组件3、散热部件4、支撑钢架5,顶层玻璃层6、中间太阳能电池片层7、封装胶膜8、底层绝缘层9、两翼基板10、翅片散热器11、散热器12、反光镜13。、凸槽加强筋14,液体冷却散热器15、凹槽16、冷却液17、防水橡胶垫18。
具体实施方式
本发明的基板带凹槽的V型聚光太阳能电池组件,包括带凹槽的基板、聚光部件、太阳能电池组件、散热部件以及支撑钢架,其中,太阳能电池组件嵌于便于封装的基板凹槽中,基板的凹槽底部的中间位置设置有凸槽加强筋,聚光部件安装于基板的上方,将太阳光汇聚于基板凹槽中的太阳能电池表面,散热部件粘接于基板的下方,将太阳能电池产生的热量吸收并扩散到低温环境中。
实施例一
本实施例的基板带凹槽的V型聚光太阳能电池组件如图1所示,包括带凹槽的基板1、聚光部件2、太阳能电池组件3、散热部件4以及支撑钢架5,其中,太阳能电池组件3嵌于基板1的凹槽中,聚光部件2固定于基板1的上方,散热部件4固定于基板1的下方。本实施例基板为铝合金,其表面是进行过硬质氧化所产生的三氧化二铝,其厚度耐受高电压的要求。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的