[发明专利]多元芯片型积层电容器的制造方法

权利要求书

1.多元芯片型积层电容器的制造方法，其特征在于：将不同的金属薄片基板分别切割出数个分离而其延伸部仍与基板而相连的阳极片及阴极片，将多细孔性的隔离薄板冲压出与阴极片、阳极片对应而较阴极片、阳极片小的通孔后作为阴极片、阳极片之间的隔离层；接着将阴极片、阳极片及隔离层按照阴极片、隔离层、阳极片的顺序进行堆栈及压合，形成至少一层阴极片、阳极片及隔离层的积层结构；之后再将该积层结构浸渍于电解质之溶液中，以吸收电解质；所述电解质之溶液为高分子电解质溶液，在高温下予以热聚合，使阳极片与阴极片之间的隔离层形成导电性高分子聚合物电解质层；最后将此积层结构进行裁切，并引出阳极导片、阴极导片，即完成多元芯片型之积层电容器。

2.根据权利要求1所述多元芯片型积层电容器的制造方法，其特征在于：将积层结构浸渍于电解质溶液之前将该积层结构碳化。

3.根据权利要求2所述多元芯片型积层电容器的制造方法，其特征在于：积层结构进行裁切后在积层的外部封装覆盖层。

4.根据权利要求3所述多元芯片型积层电容器的制造方法，其特征在于：所述覆盖层的内层为纤维带。

5.多元芯片型积层电容器的制造方法，其特征在于：将不同的金属薄片基板分别切割出数个分离而其延伸部仍与基板而相连的阳极片及阴极片，将多细孔性的隔离薄板冲压出与阴极片、阳极片对应而较阴极片、阳极片小的通孔后作为阴极片、阳极片之间的隔离层；将阳极片、阴极片及隔离层依照覆盖层、碳纤带，然后是根据隔离层、阴极片、隔离层、阳极片、隔离层、阴极片、隔离层、阳极片的顺序进行堆栈形成至少一层依次为隔离层、阴极片、隔离层、阳极片的积层结构，最后依次为隔离层、纤维带、覆盖层之顺序相互堆栈及压合，并引出与阳极片相连接之阳极导片，以及一与阴极片相连接之阴极导片，作为外部电极，即形成多元芯片型积层电容器。

6.根据权利要求1或5所述多元芯片型积层电容器的制造方法，其特征在于：所述阳极片的材质为铝箔。

7.根据权利要求1或5所述多元芯片型积层电容器的制造方法，其特征在于：所述隔离层材质为纸、非织造布纤维、碳纤与合成纤维布、碳纤与纸质纤维。

8.根据权利要求1或5所述多元芯片型积层电容器的制造方法，其特征在于：阴极片的材料为金属箔、被覆的金属箔，被覆的金属箔包括金属基片及一层或多层被覆层，所述金属基片之材质可与被覆层相同或不同。

9.根据权利要求8所述多元芯片型积层电容器的制造方法，其特征在于：所述被覆层利用喷溅、浸渍、电镀或其它被覆方法形成于基片之上。

10.根据权利要求1所述多元芯片型积层电容器的制造方法，其特征在于：阴极片的材料为金属箔、被覆的金属箔，被覆的金属箔包括金属基片及一层或多层被覆层，所述金属基片之材质与被覆层相同或不同；所述被覆层利用喷溅、浸渍、电镀或其它被覆方法形成于基片之上；所述电解质为液态电解质或为导电性聚合物固态电解质的单体。