[发明专利]太阳能选择性吸收涂层及其制备方法无效
申请号: | 200810020179.1 | 申请日: | 2008-03-27 |
公开(公告)号: | CN101250688A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 陶维伟;陆高林;汤留庚 | 申请(专利权)人: | 江苏亚邦太阳能有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C03C17/34;F24J2/50 |
代理公司: | 常州市江海阳光专利代理有限责任公司 | 代理人: | 翁坚刚 |
地址: | 213168江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 选择性 吸收 涂层 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于太阳能集热器技术领域,具体涉及一种太阳能选择性吸收涂层及其制备方法。
背景技术
众所周知,太阳能选择性吸收涂层对太阳能集热器的集热效率影响很大,该涂层的太阳能吸收率α与热发射率ε的比值越大,集热效率越高;反之,效率越低。
Al-AlN吸收涂层是当前国内使用最广泛,也是最成熟的选择性吸收涂层,主要用在全玻璃真空管集热器的集热管上,在接近真空的环境中,该吸收涂层在100℃以下使用时,吸收率大于92%,热发射率小于8%。但是当工作温度在300℃以上时,这种吸收涂层的热发射率却接近18%。而槽式太阳能发电吸热管的集热管内的工作温度一般在300℃以上,该吸收涂层在耐高温以及耐久性方面不能适用此种太阳能集热器。而对于CPC式平板集热器,由于长期工作在潮湿环境中,因此集热管不仅要能耐高温,而且还要耐潮湿,Al-AlN吸收涂层也不适应。
而从国际太阳能热水器市场销售的份额来看,平板太阳能热水器的使用率远远大于真空管太阳能热水器。而目前平板集热器的吸收涂层主要以TXT涂层为主,该涂层中的TXT涂料由复合金属氧化物和丙烯酸树脂合制而成,其吸收率为92%,而热发射率却高达30%~40%。也有采用镀铬涂层的,该涂层的吸收率为92%~95%,热发射率常常在10%以上,而且由于镀铬会污染环境,目前已遭禁用。
CN1169999C公开了一种太阳光谱选择性吸收涂层,包括反射层、吸收层、减反射层。吸收层是AlN+TiN-AlTi膜或者AlNO+TiNO-AlTi膜。减反射膜为AlN+TiN膜或者AlNO+TiNO膜。吸收层的厚度为150-400nm,减反射层厚度为40-200nm。其80℃的热发射率ε为0.06-0.10,太阳能吸收率α为0.93。CN1020797C公开了一种光-热转换吸收薄膜及制备,用于平板集热器及热管式真空集热器。吸收膜为TiN,膜层为200-1000nm,但是该专利并未提及该吸收薄膜具有耐潮湿性。CN1613807A公开了一种包埋钛或钛合金金属团族的金属陶瓷薄膜,包括反射层(Cu或者Ti)、吸收层(Ti-TiN)和减反射层(TiN)。主要使用于超过300℃的条件下,成为中高温太阳能真空集热管可以应用的,吸收层厚度为30-200nm,但是该专利并未提及该金属陶瓷薄膜具有耐潮湿性。
发明内容
本发明的目的在于针对上述技术的不足,提出一种适用于平板太阳能集热器的耐高温、耐潮湿的太阳能选择性吸收涂层及其制备方法。
实现本发明目的之一的技术方案是:一种太阳能选择性吸收涂层,包括吸收层和减反射层,其特征在于:吸收层由溅射沉积在基体上的TiN层、溅射沉积在TiN层上的TiO层以及溅射沉积在TiO层上的TiO2层构成,减反射层为溅射沉积在TiO2层上的SiO2层。
所述吸收层的厚度为80~120nm。所述TiN层的厚度为30~50nm,所述TiO层和TiO2层的厚度之和为50~70nm。所述减反射层的厚度为80~120nm。
实现本发明另一目的的技术方案是:一种太阳能选择性吸收涂层的制备方法,其特征在于具有以下步骤:①将进行预处理后的基体装入立式双靶磁控溅射镀膜机中,并将立式双靶磁控溅射镀膜机的真空室内气压抽至0.1×10-2~1.0×10-2Pa;立式双靶磁控溅射镀膜机中的两个阴极靶为钛靶和SiO2靶;②向真空室内通入纯度大于99.95%的氩气,使真空室内气压为0.1~1.0Pa;③在氩气气氛中接通600V~1200V的直流负电压轰击清洗基体,去除基体表面杂质,随后给基体接通200V~500V的负偏压,使立式双靶磁控溅射镀膜机中的钛靶通电,同时向真空室内通入纯度大于99.95%的氮气,起靶向基体溅射沉积TiN层,直至TiN层的厚度达到30~50nm,切断氮气;④向真空室内通入纯度大于99.95%的氧气,起靶向TiN层溅射沉积TiO层和TiO2层,直至两层的厚度之和达到50~70nm,切断氧气,使钛靶断电;⑤使立式双靶磁控溅射镀膜机中的SiO2靶通电,同时通入纯度均大于99.95%的氩气和氧气,起靶向TiO2层溅射沉积减反射层,直至减反射层厚度达到80~120nm,切断氩气和氧气,SiO2靶断电。
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