[发明专利]一种原位反应制备铪铝碳陶瓷材料的方法无效
申请号: | 200810010616.1 | 申请日: | 2008-03-12 |
公开(公告)号: | CN101531515A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 周延春;何灵峰;包亦望 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C04B35/52 | 分类号: | C04B35/52;C04B35/622 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 原位 反应 制备 铪铝碳 陶瓷材料 方法 | ||
技术领域
本发明涉及耐超高温陶瓷的制备技术,特别提供了一种原位反应制备铪铝碳(Hf3Al3C5、Hf3Al4C6、Hf2Al4C5及多相复合)陶瓷材料的方法。
背景技术
铪铝碳(Hf3Al3C5、Hf3Al4C6、Hf2Al4C5及多相复合)陶瓷材料是新型的耐超高温、抗氧化的三元材料。它们综合了高模量、高硬度、抗氧化、耐腐蚀、高电导率、热导率、较强的破坏容忍性等优点。在航空、航天、核工业、超高温结构件等高新技术领域都有广泛的应用前景。尽管铪铝碳(Hf3Al3C5、Hf3Al4C6、Hf2Al4C5及多相复合)陶瓷材料具有如此优异的性能,制备上的困难限制了对其性能的研究与它的应用。迄今为止关于铪铝碳(Hf3Al3C5、Hf3Al4C6、Hf2Al4C5及多相复合)陶瓷材料制备方面的文献报道只有一篇。文献1(Z.Metallkd.(德国金属学报)71(1980)341)中采用Hf粉、HfC粉、Hf-Al合金粉、Al4C3粉和C粉,在1000℃熔炼170h或700℃熔炼850h合成了含有Hf3Al3C5和Hf2Al3C4的混合物。这种合成方法制备的材料纯度很低,并含有多种低熔点相,如Hf-Al金属间化合物和Hf5Al3C。这种方法主要是为绘制相图所用,对制备高性能的铪铝碳(Hf3Al3C5、Hf3Al4C6、Hf2Al4C5及多相复合)陶瓷材料不实用,而且用该方法未发现有Hf3Al4C6和Hf2Al4C5相。迄今为止,关于铪铝碳陶瓷材料制备方面的报道很少。
发明内容
本发明的目的在于提出了一种原位反应制备铪铝碳(Hf3Al3C5、Hf3Al4C6、Hf2Al4C5及多相复合)超高温陶瓷材料的方法。该方法以Hf粉、Al粉和C粉为原料,在较低温度,短时间内合成了铪铝碳(Hf3Al3C5、Hf3Al4C6、Hf2Al4C5及多相复合)陶瓷材料,解决现有技术制备的铪铝碳陶瓷材料不实用等问题。
本发明的技术方案如下:
一种原位反应制备铪铝碳陶瓷材料的方法,该方法特征在于:
1)原料组成及成分范围:
以Hf粉、Al粉和C粉为原料,按化学计量比,Hf:Al:C=(2-3):(2-6):(4-7);
按化学计量比,Hf:Al:C=3:(2-4):(4-6),合成单相Hf3Al3C5;
按化学计量比,Hf:Al:C=3:(3-6):(4-7),合成单相Hf3Al4C6;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810010616.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:肿瘤血管靶向肽GX1
- 下一篇:一种分子印迹功能化TiO2纳米管