[发明专利]清洗方法及制造电子器件的方法

说明书

                相关申请交叉引用

本申请基于并要求2007年2月9日提交的申请号为No.2007-031286的在先日本专利申请的权益；在此以引用的方式将其全文并入。

                    技术领域

本发明涉及清洗方法及制造电子器件的方法，更具体地，涉及清洗方法和使用由电解硫酸制备的氧化性物质制造电子器件的方法。

                    背景技术

通常，附着于液晶显示屏或等离子显示屏(PDP)基板和半导体片上的有机材料、金属杂质、颗粒、干蚀残渣和有害金属通过SPM清洗方法除去，这种方法使用高温下的硫酸和过氧化氢溶液的混合液；或通过基于主要由有机胺组成的聚合物清除剂的清洗方法来除去。

相反，JP-A 2006-111943(Kokai)公开了使用由电解硫酸溶液得到的过硫酸盐离子的清洗方法。

随着近来装置朝着小型化发展的趋势，为实现高速操作，通常需要高剂量离子注入方法。但是，在高剂量离子注入方法中使用的由抗蚀剂(resist)或其它有机物制成的掩模(mask)存在着注入(implantation)后就难以清除的问题。因此，需要具有更好的清洗性能或有机清除性能的清洗方法。

                    发明概述

根据本发明的一个方面，提供了一种清洗方法，其包括：通过硫酸的电解制备氧化溶液(oxidizing solution)；并用通过混合热加热的所述氧化溶液来清洗所述工件。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造电子器件的方法，其包括：形成工件；通过硫酸的电解制备氧化溶液；用通过混合热加热的所述氧化溶液来清洗所述工件。

                    附图说明

图1是说明本发明第一个实施方案的清洗方法的流程图。

图2是说明能够实施该实施方案的清洗方法的清洗系统的简图。

图3的图表显示了喷嘴区域12中的氧化溶液和过氧化氢溶液或纯水的混合液的温度变化与混合比的关系。

图4的表格总结了仅用抗蚀剂涂敷的评估试样A的结果。

图5的表格显示了评估试样B的结果，在评估试样B中，所施用的抗蚀剂用上述数量的硼进行了离子注入。

图6的表格总结了在加入过氧化氢溶液的情况下的更详细研究的结果。

图7的表格总结了对于抗蚀剂用硼进行了离子注入的评估试样B，与过氧化氢溶液混合的氧化溶液的温度和剥落(peeling)所需时间之间的关系。

图8是说明本发明第二个实施方案的清洗方法的清洗过程的流程图。

图9是说明能用于该实施方案的清洗系统的简图。

图10的图表显示了工件W上的氧化溶液和过氧化氢溶液或纯水的混合液的温度变化与混合比的关系。

图11的表格总结了该实施方案中清洗仅涂敷了抗蚀剂的评估试样A的结果。

图12的表格显示了评估试样B的结果，在评估试样B中，所施用的抗蚀剂用上述数量的硼进行了离子注入。

图13是说明本发明第三个实施方案的清洗方法的清洗过程的流程图。

图14是说明能用于该实施方案的清洗系统的简图。

图15是说明本发明实施方案的制备电子器件的方法的流程图。

                具体实施方案

                  实施方案1

下面将参考附图描述本发明的实施方案。

图1是说明本发明第一个实施方案的清洗方法的流程图。

更具体地说，本实施方案的清洗方法包括以下步骤：通过电解浓硫酸获得氧化溶液(步骤S1)，将所述氧化溶液供给喷嘴区域(步骤S2)，将过氧化氢溶液(H₂O₂)、纯水(H₂O)或臭氧水(O₃+H₂O)混入所述氧化溶液中(步骤S3)，将清洗液通过活动喷嘴喷在旋转的待清洗工件上(步骤S4)，清洗工件(步骤S5)，并冲洗工件(步骤S6)。

图2是说明能够实施该实施方案的清洗方法的清洗系统的简图。