[发明专利]一种电力机车过电压抑制吸收系统及其控制方法有效

专利信息
申请号: 200810009396.0 申请日: 2008-03-03
公开(公告)号: CN101524965A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 贺文;郭建;罗继光;刘学全;李小平;李鹏;姚晓东;周华 申请(专利权)人: 株洲南车时代电气股份有限公司
主分类号: B60L3/00 分类号: B60L3/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 412001*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电力机车 过电压 抑制 吸收 系统 及其 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种电力机车过电压抑制吸收系统,该系统包括电力机车高压互感器、电力机车核心电气设备,所述电力机车高压互感器用于将高压交流电转换为机车工作电压,为所述电力机车核心电气设备供电,其特征在于,该系统还包括:

过电压抑制吸收装置,与所述电力机车核心电气设备并联接于所述电力机车高压互感器的次边绕组上,用于在电力机车过分相时,对因操作产生的过电压进行抑制吸收;

过电压抑制吸收系统控制装置,与所述过电压抑制吸收装置相连,用于在电力机车过分相时,控制所述过电压抑制吸收装置动作,在机车过完分相区时,切断所述过电压抑制吸收装置;

所述过电压抑制吸收系统控制装置包括:数字量输入处理电路,用于将机车运行时的操作信号转换为逻辑电平信号;逻辑控制电路,用于根据上述逻辑电平信号,在机车过分相时,发出相应的控制脉冲至数字量输出控制电路;数字量输出控制电路,用于对上述控制脉冲进行放大处理,导通MOSFET管,向所述过电压抑制吸收装置发送控制信号,控制所述过电压抑制吸收装置动作;

其中,所述数字量输入处理电路由8条相同的数字量输入支路组成,其中一条数字量输入支路包括第一二极管、第一电容、第一稳压二极管、第一光电耦合器、及第一施密特触发器;

所述第一二极管的负极与所述第一稳压二极管的负极接于所述数字量输入支路正输入端,所述第一二极管的正极与所述第一光电耦合器的第二引脚接于所述数字量输入支路负输入端,所述第一稳压二极管的正极接所述第一光电耦合器的第一引脚,所述第一光电耦合器的第四引脚接电源,第三引脚接所述第一施密特触发器的反相输入端,所述第一施密特触发器的输出端接所述逻辑控制电路,所述第一电容并联于所述第一二极管两端。

2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述数字量输入支路还包括第一电阻,所述第一电阻并联在所述第一电容两端。

3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述数字量输入支路还包括第二电阻、第三电阻、及第二电容;

所述第二电阻的两端分别连接所述第一光电耦合器的第三引脚与所述第一施密特触发器的反相输入端,所述第三电阻的两端分别连接所述第一光电耦合器的第三引脚和地,所述第二电容的两端分别连接所述第一施密特触发器的反相输入端和地。

4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述数字量输入支路还包括所述第一发光二极管,所述第一发光二极管负极接所述第一施密特触发器的输出端,正极接电源。

5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述数字量输出控制电路由4条相同的数字量输出控制支路组成,其中,一条数字量输出控制支路包括第一施密特触发器、第一电阻、第一三极管、第一二极管、第二电阻、第一脉冲变压器、第一稳压二极管、第一MOSFET管、及第一压敏电阻;

所述第一施密特触发器的反相输入端接所述逻辑控制电路,输出端接所述第一三极管的基极和所述第一电阻一端,所述第一三极管的发射极接所述第一电阻的另一端和地,所述第一三级管的集电极接所述第一二极管的正极和所述第二电阻一端,所述第一二极管的负极接电源和所述第一脉冲变压器的原边正极,所述第二电阻的另一端接所述第一脉冲变压器的原边负极,所述第一脉冲变压器的次边正极接所述第一稳压管的负极和所述第一MOSFET管的源极,次边负极接所述第一稳压二极管的正极和所述第一MOSFET管的栅极,所述第一压敏电阻接所述第一MOSFET管的漏极和栅极,所述第一MOSFET管的栅极接所述过电压抑制吸收装置。

6.根据权利要求5所述的系统,其特征在于,所述数字量输出控制支路还包括第一发光二极管,所述第一发光二极管正极连接所述第一施密特触发器的输出端,负极接地。

7.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述数字量输出控制支路还包括第三电阻,所述第三电阻的两端分别接所述第一施密特触发器的输出端和所述第一三极管的基极。

8.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述数字量输出控制支路还包括第二二极管,所述第二二极管的正极接所述第一MOSFET管的栅极,负极接所述过电压抑制吸收装置。

9.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述数字量输出控制支路还包括第四电阻和第一电容,所述第四电阻和所述第一电容并联接在所述第一MOSFET管的源极和栅极间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲南车时代电气股份有限公司,未经株洲南车时代电气股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810009396.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top