[发明专利]一种纳米级印模结构及其在发光元件上的应用

权利要求书

1.一种纳米级印模结构，包含：

一基板；

一印模层，位于该基板之上，其中该印模层的一表面具有一锯齿状图 案的纳米级的结构；以及

一缓冲层，位于该基板与该印模层之间，

其中该印模层为未掺杂氮化镓或n型氮化镓材料。

2.如权利要求1所述的纳米级印模结构，其中该基板为氧化铝或硅。

3.如权利要求1所述的纳米级印模结构，其中该缓冲层可为氮化镓、 金属或介电材料。

4.一种形成纳米级印模结构的方法，包含：

形成一基板；

形成一缓冲层，位于该基板之上；以及

形成一印模层，该印模层具有一锯齿状图案的纳米级结构，位于该缓 冲层之上，其中，该锯齿状图案的纳米级结构是藉由有机金属化学气相沉 积法制作参数的调整而形成、或是利用蚀刻液体受材料晶格方向影响的特 性在该印模层的一表面蚀刻而成，

其中该印模层为未掺杂氮化镓或n型氮化镓材料。

5.一种形成纳米级印模结构的方法，包含：

形成一临时基板；

形成一连接层，位于该临时基板之上；

形成一印模层，位于该连接层之上；

形成一缓冲层，位于该印模层之上；

形成一永久基板，位于该缓冲层之上；

移除一临时基板；

移除一连接层；及

利用蚀刻液体受材料晶格方向影响的特性蚀刻该印模层的一表面使其 具有一锯齿状图案的纳米级结构，其中该表面未与该缓冲层邻接，

其中该印模层为未掺杂氮化镓或n型氮化镓材料。

6.一种发光元件的制造方法，包含下列步骤：

提供一外延基板；

形成一外延结构于该外延基板之上，该外延结构至少包括一n型半导 体层、一发光层、与一p型半导体层；

形成一透明导电层于该外延结构之上；以及

形成一纳米图案于以上各层中至少一个的一表面上，其中该纳米图案 利用权利要求1所述的纳米级印模结构转印而成。

7.一种发光元件的制造方法，包含下列步骤：

提供一外延基板；

形成一外延结构于该外延基板之上，该外延结构至少包括一n型半导 体层、一发光层、与一p型半导体层；

形成一透明导电层于该外延结构之上；以及

形成一纳米图案于以上各层中至少一个的一表面上，该纳米图案可由 一种纳米级的印模结构转印而成，其中该纳米级的印模结构由权利要求4 或5所述的形成纳米级印模结构的方法所形成。