[发明专利]用于存储单元上的编程的方法、装置与计算机程序产品

权利要求书

1.一种用于重置一相变化存储器单元的方法，其具有一存储单元临界电压，为至少一部份的所述存储单元的非结晶相变化材料开始瓦解的一电压，所述存储单元耦接到具有一存取装置临界电压的一存取装置，所述方法包括：

选定一电压V_WL，所述电压V_WL大于所述存取装置临界电压；

读取所述存储单元的一电阻值，通过(a)施加小于所述存储单元临界电压的一电压，至耦接到所述存储单元的一位线，且通过(b)施加大于所述存取装置临界电压的一电压，至耦接所述存取装置的一字线；

假使所述电阻值大于一选定电阻值，则终止所述存储单元的所述重置；

假使所述电阻值不大于所述选定电阻值，则进行下述步骤：

施加大于所述存储单元临界电压的一电压，至所述位线；以及

施加所述电压V_WL至所述字线以重置所述存储单元；

读取所述存储单元的所述电阻值，通过(a)施加小于所述存储单元临界电压的一电压，至耦接到所述存储单元的所述位线，且通过(b)施加大于所述存取装置临界电压的一电压，至所述字线；

假使所述电阻大于所述选定电阻值，则终止所述存储单元的所述重置；

假使所述电阻值不大于所述选定电阻值，则进行下述步骤：

施加大于所述存储单元临界电压的一电压，至所述位线；

增加所述电压V_WL加上一电压ΔV；以及

施加增加后的所述电压V_WL至所述字线以重置所述存储单元；以及返回到所述第二个读取步骤。

2.如权利要求1所述的方法，还包括限制可施行于一存储单元的所述读取返回步骤的次数。

3.一种用以重置一相变化存储单元的方法，其具有一存储单元临界电压，为至少一部份的所述存储单元的非结晶相变化材料开始瓦解的一电压，所述存储单元耦接到具有一存取装置临界电压的存取装置，所述方法包括：

读取所述存储单元的一第一电阻值，通过(a)施加小于所述存储单元临界电压的一电压，至耦接到所述存储单元的一位线，且通过(b)施加大于所述存取装置临界电压的一电压，至耦接至所述存取装置的一字线；

假使所述第一电阻值大于一选定电阻值，则终止所述存储单元的所述重置；

假使所述电阻值不大于所述选定电阻值，则进行下述步骤：

施加大于所述存储单元临界电压的一电压，至所述位线，且施加大于所述存取装置临界电压的一电压V_WL至所述字线；

读取所述存储单元的一第二电阻值，通过(a)施加小于所述存储单元临界电压的一电压，至所述位线，且通过(b)施加大于所述存取装置临界电压的一电压，至所述字线；

假使所述第二电阻大于所述选定电阻值，则终止所述存储单元的所述重置；

假使所述第二电阻值不大于所述选定电阻值，则进行下述步骤：

施加大于所述存储单元临界电压的一电压，至所述位线，增加所述电压V_WL以获得一增加的电压V_WL，以及施加所述增加的电压V_WL至所述字线。

4.如权利要求3所述的方法，在施加所述增加的电压V_WL步骤之后还包含：

读取所述存储单元的一第三电阻值，通过(a)施加小于所述存储单元临界电压的一电压，至所述位线，且通过(b)施加大于所述存取装置临界电压的一电压，至所述字线；

假使所述第三电阻大于所述选定电阻值，则终止所述存储单元的所述重置；以及

假使所述第三电阻值不大于或等于所述选定电阻值，则返回到权利要求3所述的施加一电压的所述最后步骤。