[发明专利]等离子体显示面板及其制造方法有效
| 申请号： | 200780039020.8 | 申请日： | 2007-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101595547A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 辻田卓司;福井裕介;寺内正治;西谷干彦;冈藤美智子;石野真一郎;沟上要 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01J11/02 | 分类号： | H01J11/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 臧霁晨;李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种依次在第一基板上形成电极、电介质层、以及保护层，所 述第1基板与第2基板对置配置，使所述保护层面临放电空间的等离 子体显示面板，其特征在于，
所述保护层至少在面临所述放电空间的部分具有包含比例a/b为 2.5以上的氧化镁结晶颗粒的结晶颗粒层，其中，a表示阴极发光中的 200nm以上、不足300nm的波长区域的光谱积分值，b表示300nm以上、 不足550nm的波长区域的光谱积分值。
2.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述 比例为5以上。
3.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述 比例为20以上。
4.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述 氧化镁结晶颗粒的平均粒径为300nm以上4微米以下。
5.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述 结晶颗粒层面临放电空间的面积比所述第1基板面临放电空间的总面 积小。
6.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述 保护层是在氧化镁膜层上叠层所述结晶颗粒层形成的。
7.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述 保护层是在氧化镁膜层的表面上配设结晶颗粒层以将氧化镁结晶颗粒 部分掩埋形成的。
8.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述 保护层是在电介质层表面上直接形成所述结晶颗粒层构成的。
9.一种依次在第一基板上形成电极、电介质层、以及保护层，所 述第1基板与第2基板对置配置，使所述保护层面临放电空间的等离 子体显示面板，其特征在于，
所述保护层至少在面临所述放电空间的部分具有包含比例d/e为 2以上的氧化镁结晶颗粒的结晶颗粒层，其中，d表示阴极发光中的 200nm以上、不足300nm的波长区域的光谱最大值，e表示300nm以上、 不足550nm的波长区域的光谱最大值。
10.根据权利要求9所述的等离子体显示面板，其特征在于，所 述比例为5以上。
11.根据权利要求9所述的等离子体显示面板，其特征在于，所 述比例为12以上。
12.根据权利要求9所述的等离子体显示面板，其特征在于，所 述氧化镁结晶颗粒的平均粒径为300nm以上4微米以下。
13.根据权利要求9所述的等离子体显示面板，其特征在于，所 述结晶颗粒层面临放电空间的面积比所述第1基板面临放电空间的总 面积小。
14.根据权利要求9所述的等离子体显示面板，其特征在于，所 述保护层是在氧化镁膜层上叠层所述结晶颗粒层形成的。
15.根据权利要求14所述的等离子体显示面板，其特征在于，所 述保护层是在氧化镁膜层的表面上配设结晶颗粒层以将氧化镁结晶颗 粒部分掩埋形成的。
16.根据权利要求9所述的等离子体显示面板，其特征在于，所 述保护层是在电介质层表面上直接形成所述结晶颗粒层构成的。
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