[发明专利]浸没式光刻用抗蚀剂保护膜材料

权利要求书

1.碱溶性的浸没式光刻用抗蚀剂保护膜材料，其特征在于，包含聚合物(F)，所述聚合物(F)包含通过具有含氟桥环结构的聚合性化合物(fm)的聚合而形成的重复单元(F^U)。

2.如权利要求1所述的浸没式光刻用抗蚀剂保护膜材料，其特征在于，聚合性化合物(fm)是选自以下式(f1)、下式(f2)、下式(f3)和下式(f4)表示的化合物的化合物(f)；

式中的记号表示下述的含义，

R^F：氢原子、氟原子、碳数1～3的烷基或碳数1～3的氟代烷基，

X^F：氟原子、羟基或羟甲基；

化合物(f)中的氟原子可以被碳数1～6的全氟烷基或碳数1～6的全氟烷氧基取代。

3.浸没式光刻用抗蚀剂保护膜聚合物，其特征在于，它是包含重复单元(F^U)和重复单元(B^U)的聚合物(FB)，所述重复单元(F^U)通过具有含氟桥环结构的聚合性化合物(f^m)的聚合而形成，所述重复单元(B^U)通过具有羟基、羧基、磺酸基、磺酰胺基、氨基或磷酸基的聚合性化合物(b^m)的聚合而形成。

4.如权利要求3所述的浸没式光刻用抗蚀剂保护膜聚合物，其特征在于，聚合性化合物(f^m)是选自以下式(f1)、下式(f2)、下式(f3)和下式(f4)表示的化合物的化合物(f)；

式中的记号表示下述的含义，

R^F：氢原子、氟原子、碳数1～3的烷基或碳数1～3的氟代烷基，

X^F：氟原子、羟基或羟甲基；

化合物(f)中的氟原子可以被碳数1～6的全氟烷基或碳数1～6的全氟烷氧基取代。

5.如权利要求3或4所述的浸没式光刻用抗蚀剂保护膜聚合物，其特征在于，聚合性化合物(b^m)是具有以式-C(CF₃)(OH)-、式-C(CF₃)₂(OH)或式-C(O)OH表示的基团的聚合性化合物。

6.如权利要求3～5中的任一项所述的浸没式光刻用抗蚀剂保护膜聚合物，其特征在于，聚合性化合物(b^m)是选自以下式(b1)、下式(b2)、下式(b3)和下式(b4)表示的化合物的化合物(b)；

CF₂＝CF—Q^B1-CH＝CH₂(b1)

CH₂＝CR^B2-C(O)O-Q^B2(-C(CF₃)₂OH)_b(b2)

CH₂＝CH—Q^B3(-C(CF₃)₂OH)_b(b3)

式中的记号表示下述的含义，

QB1：以式-CF₂C(CF₃)(OH)(CH₂)_m-表示的基团、以式-CH₂CH((CH₂)_nC(CF₃)₂(OH))(CH₂)_m-表示的基团或以式-CH₂CH(C(O)OH)(CH₂)_m-表示的基团，

m和n：分别独立为0、1或2，

R^B2：氢原子、氟原子、碳数1～3的烷基或碳数1～3的氟代烷基，

Q^B2和Q^B2：分别独立为碳数1～20的(b+1)价烃基，

b：1或2，

Q^B4：单键或碳数1～10的2价烃基；

Q^B2、Q^B3或Q^B4中的碳原子可以结合有氟原子。