[发明专利]全息存储材料有效
| 申请号： | 200780009695.8 | 申请日： | 2007-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101405796A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 凯·舒尔特－威金 | 申请（专利权）人： | 蒂萨斯克里博斯有限责任公司 |
| 主分类号： | G11B7/0065 | 分类号： | G11B7/0065;G11B7/24;G11C13/04;G03H1/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 曲 莹 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 全息 存储 材料 | ||
1.一种全息存储材料(1)，至少具有
-聚合物膜(3)，和
-金属的第一层(4)，
-其中，第一层(4)直接或间接地布置在聚合物膜(3)上，其特征在于
-设置非金属的第二层(5)，
-设置金属的第三层(6)，
-第二层(5)布置在第一层(4)与第三层(6)之间，并且
-第一层(4)、第二层(5)和第三层(6)合起来的总厚度小于读取所使用的 辐射的波长，以及
全息信息通过第一层(4)以点的方式变形而被存储。
2.如权利要求1的存储材料，其特征在于，第一层(4)、第二层(5)和第 三层(6)合起来的总厚度小于350nm。
3.如权利要求2的存储材料，其特征在于，第一层(4)、第二层(5)和第 三层(6)合起来的总厚度小于150nm。
4.如权利要求1-3中任一项的存储材料，其特征在于，第一层(4)比第三 层(6)薄。
5.如权利要求1-3中任一项的存储材料，其特征在于，第一层(4)的层厚 度处于2.5nm与10nm之间。
6.如权利要求1-3中任一项的存储材料，其特征在于，第三层(6)的层厚 度处于10nm与100nm之间。
7.如权利要求1-3中任一项的存储材料，其特征在于，第三层(6)的层厚 度处于2.5nm与10nm之间。
8.如权利要求1-3中任一项的存储材料，其特征在于，第一层(4)和第三 层(6)在所有情况下都是铝层。
9.如权利要求1-3中任一项的存储材料，其特征在于，第二层(5)包括 SiO2。
10.如权利要求1-3中任一项的存储材料，其特征在于，第一层(4)、第 二层(5)和第三层(6)合起来具有从1.9至3的光密度(OD)。
11.如权利要求1-3中任一项的存储材料，其特征在于，第一层(4)、第 二层(5)和第三层(6)合起来具有小于0.1％的透射率。
12.如权利要求1-3中任一项的存储材料，其特征在于，聚合物膜(3)是 拉伸的聚合物膜。
13.如权利要求1-3中任一项的存储材料，其特征在于，聚合物膜(3)由 聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制成。
14.如权利要求1-3中任一项的存储材料，其特征在于，用于将存储材 料(1)施加于基板的粘合剂层(7)设置在第三层(6)上。
15.如权利要求1-3中任一项的存储材料，其特征在于，非金属的第四 层(9)布置在第三层(6)上。
16.如权利要求15的存储材料，其特征在于，金属的第五层(10)布置在 第四层(9)上。
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