[发明专利]带有硅玻璃料结合帽的压力传感器

权利要求书

1.一种压力传感器装置，包括：

传感器晶片，其构造成在所述传感器晶片的下表面上包括多个隔膜，其中，所述隔膜包括顶侧和底侧；

在所述传感器晶片上形成的用于感测压力的多个传感器芯片，各传感器芯片包括感测器件以及连接至感测器件的引线焊盘；

多个帽芯片，其被刻蚀于帽晶片上，所述帽晶片构造成在所述隔膜的所述顶侧上形成压力基准腔；

薄玻璃料层，其在所述帽晶片和所述传感器晶片之间形成晶片-晶片玻璃料结合区，所述玻璃料结合区围绕所述基准腔，从而在隔膜之上提供了基准腔的密封，

其中，所述帽晶片被对准到并使用所述薄玻璃料层结合到所述传感器晶片上，以改善所述压力传感器的热性能，同时减轻热膨胀不匹配，并改善所述压力传感器的输出信号漂移；并且

其中，所述帽晶片包括多个孔，所述孔提供通向所述传感器晶片的各所述传感器芯片的所述引线焊盘的通路。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述帽晶片包括硅，并且所述传感器晶片包括硅。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述引线焊盘在所述传感器芯片的所述顶侧上形成，其中，引线焊盘通过在传感器芯片的顶侧上的金属线以及在传感器芯片的顶面下面和玻璃料结合区的下方延伸的下衬而电连接到感测器件，其中，所述感测器件包括压敏电阻。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述隔膜对施加的压力是可作出响应的。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述帽晶片密封了所述压力基准腔中的基准压力，并保护所述多个传感器芯片以免其受严酷介质的影响。

6.一种压力传感器装置，包括：

传感器晶片，其构造成在所述传感器晶片的下表面上包括多个隔膜，所述隔膜包括顶侧和底侧，所述传感器晶片包括硅；

多个压力传感器芯片，其在所述传感器晶片上形成，各传感器芯片包括感测器件；

多个帽芯片，其被刻蚀在帽晶片上，以在所述隔膜的所述顶侧上形成压力基准腔，所述帽晶片包括硅；

薄玻璃料，其定位成在所述帽晶片和所述传感器晶片之间形成晶片-晶片玻璃料结合区，其中，所述帽晶片被对准到并使用所述薄玻璃料结合到所述传感器晶片上以改善所述压力传感器的热性能，同时减轻热膨胀不匹配并改善所述压力传感器的输出信号漂移，其中，所述帽晶片构造成包括孔，所述孔提供通向在所述传感器晶片上的所述多个传感器芯片中的每个的感测器件的电连接。

7.一种用于形成压力传感器装置的方法，包括：

构造带有多个传感器芯片的传感器晶片，将其构造成在所述传感器晶片的下表面上包括多个隔膜，其中，各所述隔膜包括顶侧和底侧；

将感测器件设置在所述传感器芯片的顶侧上；

刻蚀帽晶片，以形成用于置于所述隔膜的顶侧之上的压力基准腔；

配置薄玻璃料层，利用所述薄玻璃料层将所述帽晶片结合在所述传感器晶片上，以在所述帽晶片和所述传感器晶片之间形成晶片-晶片玻璃料结合区并且用以密封所述压力基准腔，其中，将所述帽晶片对准到并使用所述薄玻璃料结合到所述传感器晶片上，以改善所述压力传感器的热性能，同时减轻热膨胀不匹配并改善所述压力传感器的输出信号漂移；

在所述帽晶片中形成多个孔，以提供通向到各所述传感器芯片的所述感测器件上的电连接的通路，同时保护所述传感器芯片的顶侧以免受严酷介质的影响。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述帽晶片包括硅；以及所述传感器晶片包括硅。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述传感器芯片的所述顶侧上形成多个引线焊盘，其中，引线焊盘通过在传感器芯片的顶侧上的金属线以及在传感器芯片的顶面下面和玻璃料结合区的下方延伸的下衬而电连接到感测器件。