[实用新型]一种LED结构

说明书

技术领域

本实用新型属于LED，尤其涉及一种大功率LED结构。

背景技术

LED封装方法、材料和封装设备的选用主要是由LED芯片的外形、电气/机械特性、精度和单价等因素决定的。LED产业经过数十年的发展，经过了支架式LED(Lead LED)、普通片式LED(Chip SMD LED)、功率LED(Power LED)及大功率LED(High Power LED)等发展过程，支架式LED和普通片式LED的额定顺向工作电流是小于30mA，功率LED的额定顺向工作电流是在30～200mA之间，大功率LED的额定顺向工作电流是大于200mA。

以封装形式而言，大功率LED是属于表面安装装置(Surface Mount Device，SMD)的形式，因为针对大功率LED的散热需求，该LED并未采用散热较差的过孔插件的形式封装，而采用散热较佳的表面安装装置的形式封装。为了能更好的运用大功率LED，现今业界皆在研究如何改善大功率LED的散热问题。

图1为习知大功率LED的外形示意图，图2为习知大功率LED的金属支架结构示意图。如图1及图2所示，作为大功率LED 10的外部电性连接的金属支架12的导电端14是以插件式的形式固焊于金属基板(图中未示出)上，金属支架12形成在壳体16的内部处的部分(图2中虚线圆圈内部)是呈狭长片状，如此的结构，可作为金属散热层的金属支架12的散热面积较少，在制成成品后，若通以小电流时，大功率LED 10的内部LED芯片(图中未示出)处并无温度过高之虞，若通以大电流时，大功率LED 10的金属支架12的散热效果差，使得大功率LED 10的内部LED芯片处的温度逐渐升高，致使LED芯片与金属支架12电性连接处断开，结果大功率LED 10永久损坏而无法再使用。因此，习知大功率LED因金属支架的构造而造成升温的问题，致使无法提高其工作电流密度，也使大功率LED的光通量受到限制。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种LED结构，旨在解决现有技术中的LED结构存在散热性能差的问题。

本实用新型是这样实现的，一种LED结构，包括壳体、第一金属支架、第二金属支架、以及LED芯片，所述第一金属支架及第二金属支架分别有一端位于所述壳体的内部，另一端露于所述壳体的外部；在所述壳体之中设置有散热基座，所述散热基座与所述第一金属支架电性连接；所述LED芯片电性连接并固定于所述散热基座上，所述第二金属支架以一导线与所述LED芯片电性连接，所述散热基座的一表面暴露于该壳体之外。

在本实用新型中，通过增设散热基座，从而提高了散热效率，增长了LED的使用寿命，致使可以提高大功率LED的工作电流密度，改善大功率LED光通量受限制的问题。

附图说明

图1是习知大功率LED的外形示意图。

图2是图1所示习知大功率LED的金属支架结构示意图。

图3是本实用新型一较佳实施例的外形示意图。

图4是图3所示LED结构的横剖面示意图。

图5是图3所示LED结构的底视示意图。

图6是图3所示LED结构未安装壳体部分的构造示意图。

图7A为本实用新型LED结构安装一具有长方形延伸端的圆形壳体的外形示意图。

图7B为本实用新型LED结构安装一圆形壳体的外形示意图。

图7C为本实用新型LED结构安装一具有截角的四方形壳体的外形示意图。

图7D为本实用新型LED结构安装一两侧边具有圆弧修饰的长方形壳体的外形示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参阅图3至图5，本实用新型LED 20包括：壳体21、LED芯片24、第一金属支架22以及第二金属支架23。

该第一金属支架22和第二金属支架23分别有一端设置于壳体21的内部，而该第一金属支架22和第二金属支架23的另一端则分别露于壳体21外部；在该壳体21之中设置散热基座28，该散热基座28与该第一金属支架22电性连接；所述LED芯片24电性连接并固定于该散热基座28上，该第二金属支架23以一导线25与该LED芯片24电性连接，该散热基座28的一表面暴露于该壳体21之外。其中，该散热基座28可为长方体、多边立方体、圆柱体。