[实用新型]放大器结构及其放大器系统

权利要求书

1.一种放大器结构，其特征在于，该放大器结构包括：

一电压源；

一第一放大单元，耦接于该电压源，用以根据一偏置电流以及一参考电流，将一第一输入信号以及一第二输入信号进行增益放大，产生一第一放大信号；以及

一第二放大单元，耦接于该第一放大单元以及该电压源，用以根据该偏置电流以及该参考电流，将该第一输入信号以及该第二输入信号进行增益放大，产生一第二放大信号；

其中，根据该第一放大信号及该第二放大信号，产生一输出信号。

2.根据权利要求1所述的放大器结构，其特征在于，该第一放大单元包括：

一第一第一晶体管，其源极耦接于该电压源，其栅极用以接收该偏置电流；

一第一第二晶体管，其源极耦接于该第一第一晶体管的漏极，其栅极是用以接收该第一输入信号；

一第一第三晶体管，其源极耦接于该第一第一晶体管的漏极，其栅极是用以接收该第二输入信号；

一第一第四晶体管，其漏极耦接于该第一第二晶体管的漏极；

一第一第五晶体管，其漏极耦接于该第一第三晶体管的漏极，其栅极耦接于该第一第四晶体管的栅极；

一第一第六晶体管，其漏极耦接于该第一第四晶体管的源极，其源极耦接于一接地端；

一第一第七晶体管，其漏极耦接于该第一第五晶体管的源极，其栅极耦接于该第一第六晶体管的栅极，其源极耦接于该接地端；以及

一第一输出端，耦接于该第一第三晶体管的漏极以及该第一第五晶体管的漏极之间，用以输出该第一放大信号。

3.根据权利要求2所述的放大器结构，其特征在于，该第二放大单元包括：

一第二第一晶体管，其源极耦接于该电压源，其栅极耦接于该第一第一晶体管的栅极；

一第二第二晶体管，其源极耦接于该第二第一晶体管的漏极，其栅极是用以接收该第二输入信号；

一第二第三晶体管，其源极耦接于该第二第一晶体管的漏极，其栅极是用以接收该第一输入信号；

一第二第四晶体管，其漏极耦接于该第二第二晶体管的漏极；

一第二第五晶体管，其漏极耦接于该第二第三晶体管的漏极，其栅极耦接于该第二第四晶体管的栅极；

一第二第六晶体管，其漏极耦接于该第二第四晶体管的源极，其源极耦接于该接地端；

一第二第七晶体管，其漏极耦接于该第二第五晶体管的源极，其栅极耦接于该第二第六晶体管的栅极，其源极耦接于该接地端；以及

一第二输出端，耦接于该第二第三晶体管的漏极以及该第二第五晶体管的漏极之间，用以输出该第二放大信号。

4.根据权利要求2所述的放大器结构，其特征在于，该第一放大单元另包括一第一开关，其一端耦接于该第一第二晶体管的漏极以及该第一第四晶体管的漏极之间，其另一端耦接于该接地端，用以根据一第一控制信号选择性的导通及断路。

5.根据权利要求3所述的放大器结构，其特征在于，该第二放大单元另包括一第二开关，其一端耦接于该第二第二晶体管的漏极以及该第二第四晶体管的漏极之间，其另一端耦接于该接地端，用以根据一第一控制信号选择性的导通及断路。

6.根据权利要求3所述的放大器结构，其特征在于，该第一第一晶体管、第一第二晶体管、第一第三晶体管、第二第一晶体管、第二第二晶体管、第二第三晶体管为PMOS晶体管，而该第一第四晶体管、第一第五晶体管、第一第六晶体管、第一第七晶体管、第二第四晶体管、第二第五晶体管、第二第六晶体管、第二第七晶体管为NMOS晶体管。

7.一种放大器系统，其特征在于，该放大器系统包括：

一电压源；

一偏压模块，耦接于该电压源，用以提供一偏置电流以及一参考电流；

一放大模块，耦接于该偏压模块以及该电压源，用以根据该偏置电流以及该参考电流，将一第一输入信号及一第二输入信号进行运算放大，产生一第一放大信号及一第二放大信号；以及

一输出模块，耦接于该放大模块以及该电压源，用以接收该第一放大信号以及该第二放大信号，产生一输出信号。