[实用新型]有机电致发光器件

说明书

技术领域

本发明属于光电材料应用科技领域，具体为含有低挥发性p型有机半导体掺杂体系材料的有机电致发光器件。

技术背景

自1987年美国柯达公司Tang研究小组Tang，C.W.等发表了薄膜多层有机电致发光器件(Organic Light-emitting Diodes，OLED，Tang，C.W.Van Slyke，S.A.Appl.Phys.Lett.1987，51，913.)以来，有机平板显示成为继液晶显示之后的又一代市场化的显示产品。OLED具有自发光、反应时间快、视角广、成本低、制作工艺简单、分辨率佳、亮度高、低压直流驱动等特点，非常有希望成为21世纪人类理想的显示器件。研究发现，在OLED器件结构的传输材料层，适当地引入掺杂可以提高器件的导电性能、提供欧姆接触、有助于载流子的注入，从而大幅度地改善器件的性能。例如，提高器件的功率效率和降低驱动电压。J.Huang等报道了一个使用了n型和p型掺杂的空穴和电子传输层的OLED器件，在2.9V时，就可以达到1000cd/m²的亮度(Huang，J.Pfeiffer，M.Werner，A.Blockwitz，J.Leo，K.Liu，S.Appl.Phys.Lett.2002，80，139.)。在掺杂体系中，活泼碱金属锂或铯由于良好的电子给出能力而被用作n型掺杂材料，它们可通过化合物的分解等途径获得。用于p型掺杂的材料有F4TCNQ(2，3，5，6-四氟7，7，8，8-四氰基醌二甲烷)、氧化剂SbCl5、氧化剂FeCl₃、氧化剂I₂等。现存的掺杂材料，一方面由于较小的原子或分子半径而易于迁移扩散到其他的有机层，导致器件的功能不稳定和效率降低；另一方面，分子型的F4TCNQ等，由于其较高的挥发性，不但会造成蒸镀系统的交叉污染，还会引起器件的热不稳定和降低器件制备的可重复性(Drechsel，J.Pfeiffer，M.Zhou，X.Nollau，A.Leo，K.Synth.Metal.2002，127，201；Wellmann，P.Hofmann，M.Zeika，O.Werner，A.Birnstock，J.Meerheim，R.He，G.Walzer，K.Pfeiffer，M.Leo，K.Journal of the SID，2005，13(5)，393；Chang，C.-C.Hsieh，M.T.Chen，J.-F.Hwang，S.-W.Ma，J.-W.Chen，C.H.SID 06 Digest，20061106.)。F4TCNQ是迄今为止，最为人们广泛使用的p型掺杂材料。但是，它的高挥发性不但会造成蒸镀系统的交叉污染，还会引起器件的热不稳定和降低器件制备的可重复性，此类器件的功能稳定性也因此受到挑战；另外，由于它的电子能级的局限(分子中的最低空置轨道LUMO，为5.24eV)，使它只能同少部分空穴传输材料形成有效的掺杂体系(主体材料的分子中的最高占据轨道HOMO要小于5.24eV)。基于上述存在的问题，德国的NovaLED公司申请了一个取代F4TCNQ材料的专利，用于有机掺杂半导体中(Kuehl，O.Hartmann，H.Zeika，O.Pfeiffer，M.Zheng，Y.2005，US6908783B1)，其中真正可用于OLED的p型掺杂体系没有明确的阐述和实施例。来自上述研究人员的一篇SID文章，报到了长寿命的掺杂OLED器件，其中使用了一个新的p型掺杂材料(NDP2)和与之相匹配的主体材料(HT1)，但是他们没有给出材料的结构(Wellmann，P.Hofmann，M.Zeika，O.Werner，A.Birnstock，J.Meerheim，R.He，G.Walzer，K.Pfeiffer，M.Leo，K.Journal of the SID，2005，13(5)，393)。本发明将针对OLED体系，揭示一类实用新型的有机p型掺杂体系，其中的掺杂材料无人使用过。通过充足的实施例，可以证明本体系的可行性、稳定性以及引入了本体系的OLED器件的优良性能。

发明内容

本发明的目的在于开发一种新的含有低挥发性p型有机半导体掺杂体系材料的有机电致发光器件。

本发明提供了一种有机电致发光器件，其中包括由下至上依次设置的基片层，阳极，空穴注入层或空穴传输层，发光层，电子注入层或电子传输层以及阴极。其中空穴注入层或空穴传输层为掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层。在掺杂的空穴注入层或掺杂的空穴传输层上方最好设有缓冲层。