[实用新型]水冷式光伏发电系统无效
申请号: | 200720118088.2 | 申请日: | 2007-01-15 |
公开(公告)号: | CN201000896Y | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 邓晓敏;何文琪;刘兴旺;谢士涛;于浩峰;黄向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳南玻幕墙及光伏工程有限公司 |
主分类号: | H01L31/058 | 分类号: | H01L31/058;H01L31/024 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郭伟刚 |
地址: | 518067广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 水冷 式光伏 发电 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能光伏发电,以及太阳能光热利用领域。尤其涉及一种水冷式光伏发电系统。
背景技术
光伏发电系统在一年内的不同季节以及一天内的不同时刻,太阳的照射时间以及照射角度是有相当变化的。这种照射角度的变化,导致传统的平板固定式光伏发电系统无论在地球什么地方,即使以最优化的方式放置,也无法避免“余弦效应”的影响。余弦效应造成的光伏电站年发电量的损失非常可观。同时由于太阳电池的价格至今居高不下,光伏发电成本太高;因此在目前太阳电池昂贵的形势下,努力提高单位面积太阳电池的发电量,是降低光伏系统单位发电量成本的重要方式。通过聚光方式增加太阳电池的辐射量是提高太阳电池发电量的理想方式,但是由于硅电池存在负温度效应,因此在提高单位面积太阳辐射的基础上,也提高了太阳电池的温度,降低了太阳电池的效率,并且对太阳电池的寿命也有很大影响。因此降低太阳电池的温度非常重要,目前太阳电池组件的降温措施主要采用空气自然冷却的方式,这种方式对于聚光系统得温度下降非常有限,因此有必要开发一种新型高效的降温方式。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种水冷式光伏发电系统。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种水冷式光伏发电系统,包括反射镜面,设置在所述反射镜面焦点的太阳电池,其特征在于,还包括设置在所述太阳电池下方用于吸收所述太阳电池产生的热量的导热水管,与所述导热水管相连的水箱。
在本实用新型所述的水冷式光伏发电系统中,所述太阳电池与所述导热水管之间设有用于传送热能的导热硅胶。
在本实用新型所述的水冷式光伏发电系统中,还包括覆盖在所述反射镜面上方防止杂物掉入的玻璃盖板。
在本实用新型所述的水冷式光伏发电系统中,所述太阳电池上方覆盖有一层防止其老化的保护膜。
在本实用新型所述的水冷式光伏发电系统中,所述水箱上设有与所述导热水管相连的进水口和用于出水的出水口。
实施本实用新型的水冷式光伏发电系统,具有以下有益效果:由于本实用新型的水冷式光伏发电系统设有循环水管,电池发热产生的热能,通过水循环得以利用,进一步提高了系统的节能价值;增加的玻璃盖板,具有很高的防热岛效应,同时也增加了光伏组件的抗破坏能力,增加了可靠性能;提高了单位面积太阳电池的发电量,降低了发电成本;解决了晶硅电池在聚光条件下,提高发电量却带来温度急剧升高的问题,有效降低了电池板的温度,提高了电池效率。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明,附图中:
图1是本实用新型的水冷式光伏发电系统的结构示意图;
图2是本实用新型的水冷式光伏发电系统的剖面结构示意图。
具体实施方式
图1为整个聚光条件下水冷式光伏发电系统的设计结构图,本实用新型的水冷式光伏发电系统包括反射镜面1、太阳电池2,太阳电池2设置在所述反射镜面1焦点,用于吸收所述太阳电池2产生的热量的导热水管3,与所述导热水管3相连的水箱8,导热水管3设置在所述太阳电池2下方。
太阳光通过抛物线形反射镜面1将阳光加倍聚焦在太阳电池2上,太阳电池2发电通过设置与两端的导线输出;同时,在硅电池下,通过绝缘、导热的硅胶将太阳电池1的发热传输到下面的扁紫铜水管3,通过水循环将热量带走;热水通过一个储水箱储存,并随时可以取用。水箱8上还设有与所述导热水管3相连的进水口801和用于出水的出水口802。
图2是本发明太阳组件的剖面图利用两块抛物线曲面的反射玻璃或铝箔板,形成聚光通道;同时在整个聚光通道上覆盖一层玻璃盖板4,以防止鸟粪、灰尘以及其它污物掉入,形成热岛效应,降低太阳电池的寿命,同时还具有抵抗外部撞击、冰雹等的作用;在太阳电池2上层压覆盖一层复合保护膜5,分别由EVA胶膜和Tedlar膜构成,具有高防水、气密、防紫外老化的作用;在太阳电池2下通过绝缘、导热硅胶6与铜板3粘合,将热量传递至下部水冷通道,同时缓冲太阳电池2与铜板3之间热膨胀系数不同而带来的热应力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的