[实用新型]肖特基二极管

权利要求书

1.一种肖特基二极管，包括硅衬底(1)、硅外延层(2)、二氧化硅(3)、P⁺保护环(4)、金属硅化物(5)、扩散阻挡层(6)和金属电极层(7)；其特征在于：硅衬底(1)上生长有硅外延层(2)，外延层(2)上沉积有二氧化硅(3)，硅衬底(1)和硅外延层(2)为N型半导体硅材料，在硅外延层(2)中具有P型导电性的保护环(4)，P⁺区与外延层(2)形成一单边突变PN结，与肖特基结并联，金属硅化物(5)在二氧化硅(3)的窗口内，在二氧化硅(3)的窗口上依次覆盖扩散阻挡层(6)和金属电极层(7)。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于：所述硅外延层(2)的厚度为4-5μm，电阻率ρ_E为0.5-0.6Ohm-cm，管芯面积为1225μm²0.35×0.35mm。

3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于：所述衬底层(1)的掺杂浓度为N_D＝2E19cm^-3，即3E-3Ohm-cm，外延层(2)的掺杂浓度为N_D＝9E15cm^-3，即0.6Ohm-cm，所述金属硅化物(5)为硅化钛TiSi₂，所述扩散阻挡层(6)材料为镍Ni，所述金属电极(7)的引出材料为银Ag，镍Ni层的厚度为电极引出层厚度为