[实用新型]芯片集成LED光动力肿瘤治疗设备无效
申请号: | 200720082215.8 | 申请日: | 2007-11-30 |
公开(公告)号: | CN201168351Y | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 徐岩;刘先成 | 申请(专利权)人: | 深圳普门科技有限公司 |
主分类号: | A61N5/06 | 分类号: | A61N5/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 集成 led 动力 肿瘤 治疗 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及多芯片集成大功率LED(本文简称为芯片集成LED)光动力肿瘤治疗设备。
背景技术
光动力治疗癌症在临床中以取得明显的效果,逐渐成为治疗肿瘤的主要方法之一。目前光动力治疗中使用的光源多为波长630nm的激光光源,LED作为激光的替代光源在皮肤肿瘤及鲜红斑痣中已有应用,但所有的LED在光动力的中的使用均限于皮肤及肉眼可见部位。专利号ZL200520108617.1、ZL98122566.7、ZL200620042286.0、申请号02811553.8、申请号200580027021.1等,上述专利把小功率LED作为面阵排列或聚焦到某一小面积,作为皮肤的光动力治疗设备,其缺点是所有设备均只能用于皮肤治疗,不能用体内肿瘤的治疗。
申请号200510009880.X,把发光二极管做成平面矩阵,再经透镜阵列及石英透镜两次整形,把光汇聚到光纤中。这种方法不具有实际临床治疗意义,原因是发光二极管所发生的光为半球面形状,经透镜整形时其光损失严重,技术上传统LED的发光光效率为10%左右,即1W的LED发光光功率为100mw,如再加上透镜损失,经透镜后的光功率为小于100mw,一个4W的发光二极管阵列实际光输出应小于400mw。同时二极管阵列的面积不能任意扩大,因为透镜的尺寸是有限的。
在医学临床应用中,要求光纤的未端光功率要大于2000mw才能激活光敏剂杀死肿瘤细胞,如英国产激光光动力设备Diomed 630,德国产激光光动力设备CeralasPDT等所有光纤未端输出到2000mw以上。
综上所述,上述专利中所使用的发光二极管用于光动力治疗,仅限于皮肤表面肿瘤,不能用于体内肿瘤治疗,激光二极管可用于体内治疗但设备成本太贵,限制了其广泛应用。
芯片集成LED(单个功率>25w)现已问世,因其体积小、光功率密度大、照射面大将是取代普通LED和白炽灯、卤钨灯的新一代照明设备,并且已出现了若干照明用相关专利。到目前为止,人们对芯片集成LED的认识均停留在照明上的应用,称为第四代半导体照明光源。却未想到将其应用到光动力治疗领域中,以拓展光动力治疗应用范围和疗效。
发明内容
有鉴于现有技术的上述缺陷,本实用新型提供了一种芯片集成LED光动力肿瘤治疗设备。本实用新型与激光光动力设备相比,结构简单、成本低廉、设备轻巧、利于推广,而治疗效果完全满足治疗要求,可替代激光光动力设备进行人体内部肿瘤治疗。
本实用新型采用的技术方案如下:
芯片集成LED光动力肿瘤治疗设备,其特征在于:包括芯片集成LED、散热器、光纤、光头、控制电路及电源;芯片集成LED、散热器组装成光源头,其前端与光纤连接,光纤再连接上光头。
所述芯片集成LED贴在散热器上,芯片集成LED与散热器中间加导热胶,散热器后端设置风扇。
本实用新型使用的芯片集成LED,其功率为25w~1500w,平面或凸面发光,发光面积为5×5mm2~150×150mm2,波长根据光敏剂选择。
散热器上开上下相通的通风槽,既可解决通风又可扩大散热面积。通常散热器上开槽可以是发射状或网状形状。芯片集成LED的热量通过散热风扇使其热量由光源头周边的外壳孔中排出。
所述散热器的材料为铜、铝、铝合金等高导热率的材料。
本实用新型芯片集成LED前端聚光器形状为汇聚状锥形,可以是圆锥或方锥等。其材料选用铜、铝合金并镀高反光材料,也可选塑料、铁、铜合、橡胶等镀上高反光材料来做聚光器。根据实际情况,也可不选用聚光器,直接将光纤对接在芯片集成LED上。也可使用非球面透镜汇聚光线到光纤中。
本实用新型为保证芯片集成LED的正常工作,装置器中设有一个检测LED温度的温度感应器。在温度超过设定值后,控制台上报警器会发报警信号和停机。
本实用新型中有照射表面光功率检测器,可根据病情调节光功率输出大小,其调节可以手动也可自动调节。
本实用新型采用芯片集成LED与传统LED相比优点在于:
1、功率大,芯片集成LED为25W~1500W,传统LED为0.5W~3W之间。
2、芯片集成LED为平面或凸面发光,而传统LED为点光源发光。
3、电光转换效率高。芯片集成LED的发光效率为20%左右,而传统LED为10%。
4、高功率密度,芯片集成LED的光功率密度是传统LED的数倍到数十倍。
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