[实用新型]电敏变阻器有效
申请号: | 200720052336.8 | 申请日: | 2007-06-05 |
公开(公告)号: | CN201084504Y | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 李双河;梁庭燊 | 申请(专利权)人: | 广州信锐电子科技有限公司 |
主分类号: | H01C7/00 | 分类号: | H01C7/00;H01C13/00;H01G9/20;H01L25/00 |
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地址: | 510663广东省广州市广州高新技术产*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变阻器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电子元器件,尤其涉及一种由输入电流或输入电压调控亮度的发光体和光敏变阻材料组合并封装成一整体与外界光隔绝的器件,以输入电流或输入电压控制输出电阻值的方案方法制成的电敏变阻器。
背景技术
在电子电路应用中通过调控外加电压来改变传输特性的元器件有变容二极管,但变容二极管的电容量及电容值可变范围较小,只适用于高频领域的应用,在中低频段电流或电压调控传输特性的应用元器件,现有技术仍然是空白。当出现下述情况时:在一元器件输入10Hz~500kHz正弦波电信号,采取连续外控电流(或电压)调节,可使元器件的传输特性发生变化,并且要求失真小于0.1%,这就提出了研发新的元器件的课题和潜在需求。
新的元器件的理想传输特性变化应该是纯电阻值的变化,因为纯电阻在传输过程中有三大优点:(1)、无方向性;(2)、无失真(或失真很小);(3)、无相移。现有技术中还没有能满足上述要求的理想成熟的产品。
两个比较成熟的技术基础背景:电光源和光敏变阻材料,可详细解释如下:
1、电光源方面,采用磷化镓类半导体发光材料,其内部结构为PN结,在外加电场作用下载流子扩散迁移,P区空穴注入N区,N区电子注入P区,空穴和电子相遇结合产生的能量(大部分)以光的形式出现,所产生的光经过反射及聚焦后射出。通过调节输入电流(或电压),改变加在PN结两端电场,从而达到控制发光强度的目的。
2、光敏变阻材料方面,采用硫化镉或硫化铅等半导体光敏变阻材料,在无光照时,该材料两端的电阻值很大,可达1~100MΩ;在有光照时,材料吸收了入射光子获取能量,产生的载流子克服禁止带宽在半导体内扩散迁移,从而使材料两端的电阻值变小。随着入射光强度的增大,材料内的载流子数目不断增多,半导体材料两端的电阻值也不断减小,直至最终饱和,电阻值小于1kΩ。
于是运用上述两个比较成熟的技术基础背景:利用半导体发光材料制成的电光源和利用半导体光敏变阻材料制成的光敏电阻片,将两者结合起来研发电敏变阻器,具有非常重要的意义。
发明内容
本实用新型提供了一种电敏变阻器,电阻值可变范围较大,可以作为一个独立的元器件适用于从直流到中频频段范围的应用,填补了在中低频段电流或电压调控传输特性的应用元器件空白。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
电敏变阻器,其中,包括有呈管道状的金属外壳,所述金属外壳的内腔中设置有电光源和光敏电阻片,所述电光源和光敏电阻片分别位于金属外壳的内腔中的不同两端;所述金属外壳的内腔的两端开口处,所述电光源和光敏电阻片的外侧,分别填充有密封材料;所述电敏变阻器的两端分别设置有导线,所述导线分别穿过两端的密封材料与所述电光源和光敏电阻片连接。
所述电光源和光敏电阻片之间设置有将电光源发出的光聚焦并垂直照射到光敏电阻片的表面上的聚光镜,所述聚光镜位于靠近电光源一侧。
所述聚光镜与光敏电阻片之间间隔有一段距离。
所述位于电敏变阻器两端的导线,分别是两根;电光源和密封材料之间设置有可固定导线的绝缘支架,光敏电阻片和密封材料之间也设置有可固定导线的绝缘支架;所述导线分别穿过密封材料、绝缘支架与所述电光源和光敏电阻片连接。
所述金属外壳和密封材料包围成密闭的空腔,所述密闭的空腔中设置有管道状的塑套,所述绝缘支架、电光源、聚光镜和光敏电阻片均固定在所述塑套的内腔中。
所述金属外壳和塑套为圆柱形管道,所述密封材料、绝缘支架、电光源、聚光镜和光敏电阻片均为扁圆柱体形状。
所述密封材料为一种密封黑胶。
所述塑套为一种吸光绝缘黑体塑套。
所述电光源采用半导体发光材料制成,光敏电阻片采用半导体光敏变阻材料制成。
本实用新型的电敏变阻器,其有益效果在于,主要是由两种半导体材料组成,一种是半导体发光材料制成的电光源,另一种是半导体光敏变阻材料制成的光敏电阻片,将电光源发出的光聚焦并直射到光敏电阻片的表面上。电敏变阻器的电流(或电压)输入部分和电阻输出部分是完全封闭隔离的,具有极强的抗干扰能力。电阻值可变范围较大,可以作为一个独立的元器件适用于从直流到中频频段范围的应用,例如可广泛应用于中低频段隔离式可控反馈电路,RC变频、控频振荡,可控衰减或放大,开关通断以及自动控制等领域,很好的填补了在中低频段电流或电压调控传输特性的应用元器件空白。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
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