[实用新型]平面三极场致发射显示器无效
| 申请号: | 200720038018.6 | 申请日: | 2007-05-25 |
| 公开(公告)号: | CN201038179Y | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
| 发明(设计)人: | 雷威;张晓兵;孙小卫;娄朝刚 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
| 主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 叶连生 |
| 地址: | 21009*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 平面 三极 发射 显示器 | ||
1.一种平面三极场致发射显示器件,其特征是在阴极玻璃基板(1)上设有多条数据电极(2),在数据电极(2)上设有与之垂直的横条状介质层(3),该介质层(3)上的与数据电极(2)相交处设有具有表面电子发射性能的场发射材料层(4),在场发射材料层(4)上沿介质层(3)的长度方向设有辅助发射电极(6),在介质层(3)上的两端设有金属引出电极(5)并与辅助发射电极(6)相导通,在场发射材料层(4)上还设有与数据电极(2)平行的连接电极(7),该连接电极(7)与数据电极(2)相导通;在阴极玻璃基板(1)或介质层(3)上设有支撑体(8),在支撑体(8)上设有阳极玻璃基板(9),在阳极玻璃基板(9)的下表面设有阳极电极(10),在阳极电极(10)的下表面设有荧光粉层(11)。
2.如权利要求1所述的平面三极场致发射显示器件,其特征是在荧光粉层(11)上制作一层铝膜(12)。
3.如权利要求1所述的平面三极场致发射显示器件,其特征是辅助发射电极(6)采用碳纳米管制备,或采用具有较好场发射性能的碳纳米纤维或者其它导电的纳米材料构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





