[实用新型]Al膜电极缺陷检测装置无效

专利信息
申请号: 200720036018.2 申请日: 2007-04-26
公开(公告)号: CN201060837Y 公开(公告)日: 2008-05-14
发明(设计)人: 李青;张雄;朱立锋;王保平;林青园 申请(专利权)人: 南京华显高科有限公司
主分类号: H01J9/42 分类号: H01J9/42
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 代理人: 夏平;瞿网兰
地址: 210061江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: al 电极 缺陷 检测 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种等离子电视,尤其是一种等离子电视中铝膜电极缺陷检测装置,具体地说是一种铝膜电极检测装置。

背景技术

交流等离子体显示板通常由前后基板封接后充入预定的工作气体,譬如各种惰性气体形成可显示的显示板,或由前后基板、荫罩充当障壁组装封接后充入惰性气体形成可显示的显示板。对于障壁型交流等离子体显示板,前基板结构,从玻璃基板起,有透明导电电极(ITO)做为显示电极,ITO电极之上是Bus电极,Bus电极通常由银(Ag)电极构成,Bus电极之上是介质层,介质层由绝缘透明介质材料经过高温烧结而成;后基板结构,从玻璃基板起,分别是寻址电极,通常由Ag电极构成,寻址电极之上是绝缘介质层,该介质层由高温烧结而成,介质层之上是障壁阵列。对于荫罩式交流等离子体显示板,前基板结构,从玻璃基板起,有透明导电电极(ITO)做为显示电极,ITO电极之上是Bus电极,Bus电极通常由银(Ag)电极构成,Bus电极之上是介质层,介质层由绝缘透明介质材料经过高温烧结而成;后基板结构,从玻璃基板起,分别是寻址电极,通常由Ag电极构成,寻址电极之上是绝缘介质层,该介质层由高温烧结而成,障壁由荫罩替代,三部分组装封接而成。对于目前常用的上述两类交流等离子体显示板,采用没有ITO膜结构,前基板的Bus电极和后基板寻址电极可采用铝膜(Al)电极制成。

对于Al电极的显示板,Al电极在采用光刻技术制程中,由于工艺条件、工艺环境及工艺材料等原因,会产生Al电极的缺陷,具体表现为Al电极完全断线、不完全断线,Al电极间连线。所有这些缺陷都将影响显示板的正常工作。对于Al电极间连线的缺陷,只需采用激光切断即可,没有特殊性,其方法不在本实用新型之列。对于Al电极的断线缺陷修补具有一定特殊性,原因之一,Al膜在后续的高温工序中极易氧化,使在Al膜表面与修补料界面形成Al2O3绝缘层,造成修补失败,原因之二,铝膜微粒修补材料在空气中极易氧化,不能单独使用,必须和银、金等稳定的微粒材料混合使用,由于Al膜电极与修补材料的热膨胀系数差异较大,导致修补失败。

发明内容

本实用新型的目的是针对Al膜电极缺陷的检测及现有Al膜电极修补的问题,提出一种基于光学透过率对Al膜电极缺陷检测装置。

本实用新型的技术方案是:

一种Al膜电极缺陷检测装置,其特征是它由安装玻璃基板2的检测台10、支架7、控制系统8、检测头6及背光光源18组成,背光光源安装在检测台10的下部、玻璃基板2的下部,支架7位于检测台10的上方,检测头6(可采用CCD成像传感器和/或光敏元件加以实现)活动安装在滑杆19上并能沿滑杆19作X方向的左右移动,它通过连接线与控制系统8相连,滑杆19活动支承在支架7上并能沿支架7作Y方向的前后移动。

本实用新型的Al膜电极断线的修补方法为:选择含有Ag粒子或Ag、Al粒子共存的低温玻璃粉修补浆料17,在控制系统的指令下,通过修补机将修补浆料17送至完全断线14或不完全断线15处修补连通,然后进行预烘(烘制温度由修补浆料特性决定,通常在110~160℃,预烘时间为20秒~10分钟),预烘结束后再用修补机的激光切割头将修补处节割成与原电极形状相近的形状,再转入下一道介质层制备工序中,在带有经过预烘的修补浆料17表面及其它正常的Al膜电极表面制备一层介质层4,再经过高温烘烤工序(烘烤温度由介质层烧结温度决定,通常为560~580C,高温保持时间为10~30分钟),将修补浆料17与介质层4共同烧结最终形成完好的修补点及绝缘介质层5。

本实用新型的有益效果:

1、本实用新型的Al膜电极缺陷的检测方法具有耗时短,检测结果准确的优点,适合量产中使用。

2、本实用新型的Al膜电极缺陷的修补方法,有效地克服了Al膜与修补料在界面产生的绝缘层的影响,使Al膜电极修补后在高温工艺后具有可靠性,使用与以Al膜为电极结构的等离子体显示板。

3、本实用新型的检测装置结构简单,制造方便,简单实用。

附图说明

图1是为本实用新型具有Al膜电极图案的基板示意图。

图2是为本实用新型的Al膜电极图案缺陷检测装置的示意图。

图3为本实用新型的用掩模正片检测Al膜电极图案连线缺陷的示意图。

图4为本实用新型的用掩模负片检测Al膜电极图案断线缺陷的示意图。

图5是Al膜电极图案断线缺陷种类示意图。

图6为本实用新型的Al膜电极图案断线缺陷修补步骤示意图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京华显高科有限公司,未经南京华显高科有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720036018.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top