[实用新型]负电子亲和势光电材料参电致发光显示器件无效

专利信息
申请号: 200720031189.6 申请日: 2007-02-06
公开(公告)号: CN201004470Y 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 牟强;王秀峰;袁桃丽;李新贝 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 张震国
地址: 710021陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 负电子 亲和 光电 材料 电致发光 显示 器件
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于平板显示领域的有机电致发光显示器件(OLED),具体涉及一种负电子亲和势光电材料参电致发光显示器件。

背景技术

1987年,自从美国柯达公司Tang首先报道了双层结构的高效率、高亮度的有机电致发光薄膜器件以来,引起了人们极大的关注,因其驱动电压低、发光亮度高、色彩丰富以及工艺简单可制成大面积平板显示等优点而成为当前平板显示领域的研究热点。发光效率和发光寿命是有机电致发光器件实用化的两个关键性问题,但电致发光效率存在一个理论极限。为了能够在诸如照明或液晶显示器的背光源等需要强光的情况下得到应用,必须开发出高效率、高亮度的有机电致发光器件。

在OLED器件各层材料确定后,如何更好的提高器件的发光效率和亮度是目前研究的热点,有机电致发光器件的发光机理包括电子和空穴从电极的注入、激子的形成及复合发光,其中,空穴和电子的注入平衡是非常重要的。在有机电致发光器件中,由于有机层与电极之间存在能级差,从而形成界面势垒,电子和空穴要注入有机层就必须克服界面势垒,因此有机层与电极的接触性质直接影响载流子的注入效率。通过调节有机层和电极之间势垒的高低可以控制载流子的注入,继而改变器件的光电特性。克服载流子注入势垒需要足够高的电场强度,也就是说注入效率受控于电场强度;在外电场作用下,要提高载流子的注入效率,接触势垒越低越好。应选择功函数低的材料作阴极,功函数高的材料作阳极,这样才可以降低载流子注入的能带势垒,从而降低所需的工作电压。势垒的高低取决于有机材料能级和电极功函数之差,因此通过采用不同功函数的电极可以有效控制载流子的注入。为了利于载流子注入,应尽量采用高功函数的空穴注入电极和低功函数的电子注入电极。在外电场作用下,注入的空穴和电子分别向阴极和阳极移动,这个动态过程称为载流子的传输。载流子传输性能的好坏主要取决于有机材料的载流子迁移率,大多数有机材料的载流子迁移率较低,不利于载流子的有效传输。而且有机电致发光器件的厚度仅仅为几百个纳米,所以在较低的电压下便可以在发光层产生很高的电场,使载流子的传输效率大大加强。一般在电致发光中,两种载流子需要从两个电极以高的注入比和相同的速率注入有机层才能保证正负载流子在发光层有效的结合,但由于大部分有机或高分子材料的禁带较宽,难以同时使低功函数的阴极和高功函数的阳极与有机层的导带、价带相匹配。

近年来人们的研究工作有很大一部分都是集中在提高有机器件的亮度和效率上。有机电致发光的亮度和效率都和材料中载流子注入平衡有很大的关系。为了平衡载流子的注入以得到高效率和稳定性好的器件,人们不仅使用了电子注入更为有效的LiF/Al和CsF/Al等复合电极,同时也使用了空穴缓冲层,如S.A.VanSlyke等在ITO和NPB之间使用CuPc,使得器件的稳定性得到了明显的提高;A.Gyoutoku等用碳膜使器件的半寿命超过3500小时;最近,Y.Kurosaka等和Z.B.Deng分别在ITO和空穴传输层之间插入一薄层Al2O3和SiO2提高了器件的效率。在通常的有机电致发光器件中,从阴极向常用的电子传输材料Alq3中注入电子较难,引起器件中载流子注入不平衡。而在本专利中,我们从提高电子发射的角度出发,在OLED器件阴极表面经过特殊的处理工艺生成一层NEA光电材料层,该层不仅具有较高的电子注入效率,而且当OLED器件发光时其出射光照射到NEA光电材料层时,光子波长λ和NEA光电材料所采用的材料禁带宽度Eg之间满足如下关系:λ≤1.24/Eg(μm),其中Eg为光电材料禁带宽度,从而符合光电发射条件,由于光电发射效应,会激发产生更多的电子;而在OLED器件中,空穴的迁移率是电子的一百多倍,这样的结构在一定程度上满足了电子-空穴的平衡注入,大大提高了器件的发光效率。因此在发光层中有更多的载流子复合,从而大大改善了OLED器件的发光效率和发光亮度,降低了工作电压和功耗。

发明内容

本实用新型的目的在于提供了一种使用寿命长,工作电压低、能耗小,高亮度高发光效率的负电子亲和势光电材料参电致发光显示器件。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学,未经陕西科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720031189.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top