[发明专利]一种肖特基背结硅太阳能电池有效
| 申请号： | 200710304229.4 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101262023A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 赵雷;王文静;刁宏伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L31/07 | 分类号： | H01L31/07 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 关玲;成金玉 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基背结硅 太阳能电池 | ||
1、一种肖特基背结太阳能电池，其特征在于肖特基结处于该太阳能电池的背面，所述太阳能电池的基本结构包括p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)背光面上的低功函数的背电极(2)，以及在p型硅衬底(1)迎光面上的高功函数的前透明导电电极(3)。
2、根据权利要求1所述的肖特基背结太阳能电池，其特征在于所述的p型硅衬底(1)是CZ单晶硅衬底、FZ单晶硅衬底或多晶硅衬底，表面是平面或具有绒面结构；所述的背电极(2)是功函数低于4.5eV的材料；所述的前透明导电电极(3)是功函数高于5.0eV的材料。
3、根据权利要求1或2所述的肖特基背结太阳能电池，其特征在于在p型硅衬底(1)和背电极(2)之间可以添加第一种本征半导体层或绝缘层(4)；在p型硅衬底(1)和前透明导电电极(3)之间可以添加第二种本征半导体层或绝缘层(5)，在第二种本征半导体层或绝缘层(5)和前透明导电电极(3)之间可以添加p型掺杂半导体层(6)；或者，在p型硅衬底(1)和前透明导电电极(3)之间可以只添加p型掺杂半导体层(6)。
4、根据权利要求3所述的肖特基背结太阳能电池，其中，所述的第一种本征半导体层或绝缘层(4)是非晶硅、纳米晶硅、微晶硅或者硅碳化物、硅氮化物、硅氧化物、硅氮氧化物；所述的第二种本征半导体层或绝缘层(5)是非晶硅、纳米晶硅、微晶硅或者硅碳化物、硅氮化物、硅氧化物、硅氮氧化物；所述的p型掺杂半导体层(6)是非晶硅、纳米晶硅、微晶硅或者硅碳化物。
5、根据权利要求1或2所述的肖特基背结太阳能电池，其特征在于在前透明导电电极(3)上可以含有增加电流侧向收集效率的金属栅线(7)。
6、根据权利要求3所述的肖特基背结太阳能电池，其特征在于在前透明导电电极(3)上可以含有增加电流侧向收集效率的金属栅线(7)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所，未经中国科学院电工研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710304229.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
